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蘇州安而森試驗設備有限公司
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分立器件高溫反偏試驗系統AS-HTRB-B16 用于評估分立器件工藝的穩定性，加速缺陷失效率，剔除有隱患的器件或剔除有制造缺陷的器件（剔除早期失效的器件）的一種可靠性試驗。 ......
一、設備技術指標
1.1設備名稱：高溫反偏試驗系統
1.2設備型號：AS-HTRB-B16
1.3內箱尺寸：600 X 600 X 600 mm (W×H × D)
箱體尺寸：1360×1815×1320 mm (W×H ×D)
內箱容積 :216L
1.4試驗箱溫度范圍：RT+10～+200℃
建議測試溫度范圍：RT+10～+175℃
溫度均勻性：±2℃,≤175℃時；
溫度偏差：±1.5℃ ≤125℃時；±2℃ ≤175℃時；
帶可程序設計計時控制開關裝置，雙重超溫保護功能。
1.5制熱與溫度循環系統：
加熱裝置：長壽命鎳鉻合金電熱絲式加熱器
加熱方式：無觸點等周期脈沖調寬，平衡式調溫 P.I.D + P.W.M + S.S.R
導風板設計：可調式導風板設計,有效提升溫分布均勻性.
循環裝置：采用防潮兼散熱設計,不銹鋼加長軸心回圈馬達
循環風輪：耐高低溫鋁合金多翼式回圈扇輪
出風循環：風循環方向可根據模塊的擺放方向設計，以保證試樣處于溫濕度均勻區
二、試驗能力及電源
2.1試驗能力:電壓2000V，建議試驗溫度175℃。
2.2通道分區：16個老化試驗通道，8個獨立直流電源。每個電源對應2個試驗通道，整機共可同時試驗8個不同規格的器件。
2.3滿載容量:80顆/每通道×16通道＝1280顆。（數量）
2.4插板骨架材料：304不銹鋼板材料，高溫下長時間工作不生銹。
2.5使用范圍: 各種封裝二極管、半橋、三極管、可控硅、IGBT、DIODE、MOSFET、HEMT、BJT、SCR進行高溫反偏試驗（HTRB）
2.6試驗目的：評估工藝的穩定性，加速缺陷失效率，剔除有隱患的器件或剔除有制造缺陷的器件（剔除早期失效的器件）
2.7測試使用標準: GB/T 15291-1994 6.2;JESD22-A108C。
2.8試驗線路及試驗方法滿足JESD22-A108、MIL-STD-750 Method 1038及AEC Q101相關標準要求。
三、結構特征
3.1 箱體材質：測試區內箱SUS#304不銹鋼板,外箱粉體烤漆
3.2 保溫材質：保溫絕緣層耐燃防火 PU ＋ 隔熱玻璃棉。
3.3 箱 門：全開單翼型，帶有雙層硅橡膠密封和門鎖。
3.4 老化板：聚酰亞胺（Polymide）板材，Tg260℃。
3.5移動腳輪：強力螺栓固定位置支撐腳4個，移動調整輪4個(500Kg /輪 )移動試驗箱用
四、電源方案:
電源方案:16個老化試驗通道，8組獨立電源，電源規格：（電源規格及數量可選配）
技術詳情信息可我司！
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