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詳細介紹
二手掃描電鏡SEM+EDX1kv的分辨率提升到1.3nm，并在探測器設計上有新的突破，配置了Lower、Up-per和Top三個Everhart-Thornley型探測器，可以接受SE、LA-BSE和HA-BSE多種信號，實現微區的形貌襯度、原子序數襯度、結晶襯度和電位襯度的觀測；結合選配的STEM探測器，還可以實現明場像和暗場像的觀測；此外在半導體應用中，還可以安裝EBIC探測器，采集感生電流圖像，*豐富了信號的采集，對樣品的信息的收集達到了新的高度。
二手掃描電鏡SEM+EDX出售：技術特點：
1. 低加速電壓成像能力，1kv分辨率可達1.3nm
2. 日立的ExB設計，不需噴鍍，可以直接觀測不導電樣品
3. 配置Lower、Upper和Top三個Everhart-Thornley型探測器
4. Upper和Top探頭均可選擇接受二次電子像或背散射電子像
5. 可以根據樣品類型和觀測要求選擇打開或關閉減速功能
6. 標配有冷指、電子槍內置加熱器，物鏡光闌具有自清潔功能
7. 儀器的烘烤維護及烘烤后的透鏡機械對中均可由用戶自行完成
| 項目 | 描述 |
| SE分辨率 | 3.0nm (30kV)，高真空模式 10nm (3kV), 高真空模式 |
| BSE分辨率 | 4.0nm (30kV)，低真空模式 |
| 放大倍率 | x5 ~ x300,000 |
| 加速電壓 | 0.3 ~ 30 kV |
| 低真空范圍 | 6 ~ 270 Pa |
| zui大樣品尺寸 | 直徑200mm |
| 樣品臺 | I型 II型 |
| X | 0 ~ 80mm 0 ~ 100mm |
| Y | 0 ~ 40mm 0 ~ 50mm |
| Z | 5 ~ 35mm 5 ~ 65mm |
| R | 360º 360º |
| T | -20º~ +90º -20º ~ +90º |
| zui大樣品高度 | 35mm (WD=10mm) 80mm (WD=10mm) |
| 驅動類型 | 手動 五軸馬達驅動 |
| 燈絲 | 預對中鎢燈絲 |
| 物鏡光欄 | 可移動式4孔物鏡光欄 |
| 槍偏壓 | 固定比例偏壓、手動偏壓和自動4偏 |
| 檢測器 | 二次電子檢測器 高靈敏度半導體背散射電子檢測器 |
| 分析位置 | WD=10mm, TOA=35o |
| 控制 | 鼠標、鍵盤，手動旋鈕 |
| 自動調校 | 自動燈絲飽和、自動4偏壓、自動槍對中、自動束流設定、自動合軸、自動聚焦 消像散、自動亮度對比度 |
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