二手電鏡JSM-6510主要技術指標：

物鏡采用強勵磁設計――象差小、分辨率高 1.0nm（15kV時） 2.2nm（1kV時） 使其更適合于材料表層和納米材料的觀察  ?能譜儀分析元素范圍4Be`92U，能量分辨率130ev； 技術特色： 由熱陰極電子槍發射出的電子在電場作用下加速，經過電磁透鏡的作用，在樣品表面聚焦成為極細的電子束，該細電子束在雙偏轉線圈的作用下，在樣品表面掃描。 被加速電子束與樣品室中的樣品相互作用，激發產生各種物理信號，通過對其中某種物理信號的檢測、視頻放大和信號處理，調制陰極射線管的電子束強度，從而在CRT熒光屏上獲得能反映樣品表面特征的掃描圖象。

二手電鏡JSM-6510參數

1．二次電子像分辨率：1.0nm（15kv）/2.2nm（1kv）

2．背散射電子像分辨率：3nm（15kv，WD=8mm） 

3. EDS分辨率: MnKa小于136eV 4. EDS 元素分析范圍：B5-U92 儀器主要附件:

1．背散射電子探頭

2．英國OXFORD公司INCA EDS 樣品要求：低放氣；導電（非導電體需要噴金處理）；直徑小于20mm，高度低于10mm能牢固固定 ? 二次電子分辨率：1.0nm（加速電壓15kV）?2.2nm(加速電壓1kV)? 放大倍數：低倍：×25-×19000 高倍：×100-×650000 ? 樣品臺尺寸：ф12.5-ф26mm? 試樣移動范圍： X范圍：0-70mm Y范圍：0-50mm Z范圍：1.5-25mm（連續旋轉） 角度360° 傾斜：-5-60° 加速電壓：0-20kV? 電流：0-15mA? 掃描模式：SEI，COMPO

一、技術指標：
二次電子分辨率：1.0nm（加速電壓15kV） 2.2nm(加速電壓1kV)
放大倍數：低倍：×25-×19000
          高倍：×100-×650000
樣品臺尺寸：ф12.5-ф26mm
試樣移動范圍：X范圍：0-70mm
              Y范圍：0-50mm
              Z范圍：1.5-25mm（連續旋轉）角度360°
              傾斜：-5-60°
加速電壓：0-20kV
電流：0-15mA
掃描模式：SEI，COMPO
二、技術特點：主要特點為冷場發射電子槍，強勵磁圓錐透鏡 ，高度集成化和自動化。
三、主要用途：主要用于納米材料顯微結構、尺寸分析 ，材料微結構、相組成及相分布分析 ，材料中元素定性分析、定量分析、線分析、面分析、材料失效分析。