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武漢普賽斯儀表有限公司
武漢普賽斯儀表有限公司
| 測量范圍 | 高達3000V/100mA | 測量精度 | 0.1% |
|---|---|---|---|
| 外形尺寸 | 19英寸1U機箱mm | 用途 | 0.1% |
| 重量 | 30kg | Z大輸出功率 | 300W，3000V/100mA（不同型號有差異）； |
| 輸出電壓建立時間 | < 5ms； | 輸出接口 | KHV（三同軸），支持四線測量； |
大功率IGBT靜態參數測試儀集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA
大功率IGBT靜態參數測試儀簡介
功率器件靜態參數測試系統集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，p*電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景。
系統特點
高電壓：支持高達3KV高電壓測試；
大電流：支持高達4KA大電流測試；
高精度：支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量；
豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數；
配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能；
數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監控系統運行溫度；
可定制開發：可根據用戶測試場景定制化開發；
技術指標
大功率IGBT靜態參數測試儀應用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
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