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聚焦離子束FIB

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更新時(shí)間：2021-03-22 15:10:45瀏覽次數(shù)：370次

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武漢賽斯特精密儀器有限公司

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聚焦離子束FIB 材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。

詳細(xì)介紹

聚焦離子束FIB

聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）：材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。

聚焦離子束場(chǎng)發(fā)射掃描雙束電鏡（FIB）是上納米結(jié)構(gòu)分析和材料微納結(jié)構(gòu)制備的*設(shè)備。它配有電子束和Ga離子束，可以實(shí)現(xiàn)電子束與離子束的同時(shí)在線觀測(cè)，具有束流穩(wěn)定、分辨率高、納米操控確的特點(diǎn)，可以在納米尺度的分辨率下對(duì)材料進(jìn)行三維、高質(zhì)量、高穩(wěn)定性的顯微形貌、晶體結(jié)構(gòu)和相組織的觀察與分析，及各種材料微區(qū)化學(xué)成分的定性和定量檢測(cè)。

聚焦離子束FIB主要技術(shù)指標(biāo)The main technical indicators：

SEM   分辨率Resolution： 1.0nm @ 15kV   1.9nm @ 1kV

放大倍數(shù)Mag.：12 ~ 1000,000x

加速電壓EHT：0.1 ~ 30kV

FIB 分辨率Resolution：2.5nm @ 30kV

放大倍數(shù)Mag.：300×～ 500,000×

加速電壓EHT：1.0 ~ 30Kv

配置Configuration

探測(cè)器Detector：Inlens二次電子探測(cè)器

E-T 二次電子探測(cè)器

ESB背散射電子探測(cè)器

X射線能譜儀 X-ray spectrometer

分辨率Resolution：127 eV @ MnKα

探測(cè)元素范圍Detection range of elements： Be(4) ~ Fm(100)

EBSD探測(cè)器 EBSD Detector

空間分辨率Spatial resolution：50nm

主要功能：

1.        場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、高分子材料、有機(jī)聚合物等

2.        X射線能譜分析儀（EDS）：材料微區(qū)成分分析；MnKa峰的半高寬優(yōu)于127eV；CKa峰的版高寬優(yōu)于56Ev;FKa峰的半高寬優(yōu)于64eV；元素Be4-U92;

3.        3D背散射電子取向成像系統(tǒng)（EBSD）：多晶材料的晶體取向和織構(gòu)分析和3D重構(gòu)；空間分辨率：優(yōu)于50nm；探測(cè)器靈敏度：加速電壓在3KV時(shí)，束流小于50pA能采集到花樣；解析速度大可達(dá)600點(diǎn)/s；測(cè)試能譜和EBSD 同步采集和一體化功能，選取實(shí)際樣品進(jìn)行三維EDS & EBSD測(cè)試；

4.        聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）：材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。