一、HMDS 預處理系統的必要性：

    在半導體生產工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節，涂膠質量直接影響到光刻的質量，涂膠工藝顯得更為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后，經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水，其疏水基可很好地與光刻膠結合，起著偶聯劑的作用。

二、產品特點：

1、設備外殼采用SUS304不銹鋼材質制作，內膽為不銹鋼SUS316L材料制成；
   采用C型不銹鋼加熱管,均勻分布在內膽外壁，內膽內無任何電氣配件及易燃易爆裝置；
   箱門采用鋼化、雙層玻璃觀察窗,便于觀察工作室內物品生產情況。

2、箱門閉合松緊能調節，整體成型的硅橡膠門封圈，確保箱內保持高真空度。

3、采用PID控制,系統具有自動控溫,定時,超溫報警等,采用LCD液晶顯示,觸摸式按鈕,簡單易用,性能穩定。

4、智能觸摸屏控制系統采用PLC模塊可供用戶根據不同制程條件改變程序、溫度、真空度及每一程序時間。

5、HMDS氣體密閉式自動吸取添加設計，使真空箱密封性能，確保HMDS氣體無外漏顧慮。

6、整個內部系統采用優質SUS316L不銹鋼材料制作，無發塵材料，適用百級光刻間凈化環境。

三、產品型號及參數：

設備型號：EHMDS-110

控溫范圍：RT+10～250℃

溫度分辨率：0.1℃

控溫精度：±0.5℃

隔板數量：2塊（標配）

真空度：<133Pa

真空泵：DM4（內置連接）

設備電源：AC220/50HZ

額定功率：3.5KW

內膽尺寸mm：450x450x550 （W*D*H）

外形尺寸mm：650x640x1010 （W*D*H）

四、HMDS系列預處理系統的原理：

    HMDS預處理系統通過對烘箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。

五、HMDS系列預處理系統的一般工作流程：

    首先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為：打開真空泵抽真空，待腔內真空度達到某一高真空度后，開始充入氮氣，充到某低真空度后，再次進行抽真空、充入氮氣的過程，到達設定的充入氮氣次數后，開始保持一段時間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空，充入HMDS氣體，在到達設定時間后，停止充入HMDS藥液，進入保持階段，使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后，再次開始抽真空。充入氮氣，完成整個作業過程。HMDS與硅片反應機理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應，在硅片表面生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續到空間阻止其進一步反應。

六、廢氣排放：

    多余的HMDS蒸汽（廢氣）將由真空泵抽出，排放到廢氣收集管道，在無廢氣收集管道時需做專門處理。

選配件：

1、增加HMDS液體瓶

2、壓力記錄儀（帶曲線）

3、溫度記錄儀（帶曲線）