現在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化比較快的。

熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。

單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅棒是生產單晶硅片的原材料，隨著國內和市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法(CZ)、區熔法(FZ)和外延法。直拉法、區熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節能燈、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領域。

由于成本和性能的原因，直拉法(CZ)單晶硅材料應用較廣。在IC工業中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch-up的能力。

單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中比較基礎性材料，屬半導體材料類。單晶硅已滲透到國民經濟和國防科技中各個領域，當今超過2000億美元的電子通信半導體市場中95%以上的半導體器件及99%以上的集成電路用硅。

多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色，不透明，具有金屬光澤，性脆，常溫下不活潑。

多晶硅是用金屬硅(工業硅)經化學反應、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原硅)。目前世界上多晶硅生產的方法主要有改良西門子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產工藝。

當前多晶硅的市場狀況是：從上來看，早幾年多晶硅還處于供過于求的局面，2004年開始，由于太陽能產業的發展，太陽能用多晶硅供不應求，導致多晶硅供應緊張。在國內，我國多晶硅生產*不能滿足國內市場需要，嚴重依賴于進口。

單晶硅清洗超純水設備處理工藝

原水箱→原水提升泵→石英砂過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級高壓泵→一級反滲透→級間水箱→二級高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過濾器→EDI系統→EDI水箱→拋光混床→用水點

單晶硅清洗超純水設備處力：按客戶要求設計

出水指標：≥18.2MΩ.CM

產水用途

在太陽能電池、單晶硅多晶硅硅片硅材料清洗、LED、LCD、光電光學行業領域，中天恒遠水處理設備公司擁有多年的LED、LCD、光電光學行業脫鹽水和超純水設備的設計、研發、調試和售后服務的成功經驗。

在設備設計上，采用成熟、可靠、*、自動化程度高的兩級RO+EDI水處理工藝，確保處理后的超純水水質符合要求，水利用率高，運行可靠，經濟合理。關鍵設備及材料均采用目前*可靠產品，采用PLC+觸摸屏控制，全套系統自動化程度高，系統穩定性高。大大節省人力成本和維護成本。使設備與其它同類產品相比較，具有更高的性價比和設備可靠性。

我們公司專業生產反滲透+EDI超純水設備，有多年的生產經驗，尤其在電控系統PLC方面在水處理行業技術都是比較成熟，我們也有做過很多各行業的水處理設備，這方面我們有豐富的經驗。我們公司做出來的設備質量比他們都有優勢，在國內具有一定的市場竟爭力。該產品由于具備性能好、*國外同類產品價格、供貨及時、售后服務方便快捷等諸多優勢。在LED、LCD、光電光學企業的脫鹽水和超純水裝置，得到了業界的廣泛贊譽，歡迎廣大客戶前來參觀考察。