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可供測(cè)試詳表

測(cè)試項(xiàng)目	測(cè)試內(nèi)容	測(cè)試條件	激發(fā)波長(zhǎng)	探測(cè)器水平
拉曼測(cè)試	拉曼光譜、二維	成像范圍：200um×200um（40×物鏡下）,空間分辨率：<>	激發(fā)波長(zhǎng)：532nm/785nm，光譜分辨率：0.12nm	2000 × 256 pixels, 15 μm 像素寬度 (iVAC316, Andor)
PL測(cè)試	PL光譜、PL二維成像		激發(fā)波長(zhǎng)：405nm/532nm	2000 × 256 pixels, 15 μm 像素寬度 (iVAC316, Andor)
測(cè)試	瞬態(tài)熒光壽命曲線、二維熒光壽命成像		激發(fā)波長(zhǎng)：405nm	系統(tǒng)響應(yīng)度：＜200ps 測(cè)量范圍12.5ns-32us
光電流測(cè)試	I-V曲線、I-t曲線、二維光電流成像		激發(fā)波長(zhǎng)：405nm,532nm,785nm	Semishare高精度 Keithley2400源表電壓源/量程：200v 測(cè)量分辨率：1pA/100nV