測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器，通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感：

線(xiàn)圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀技術(shù)特性

平板電容器：極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀技術(shù)特性

多項(xiàng)技術(shù)：

雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。
雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路*化 —使測(cè)試回路殘余電感減至zui低， Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)特性
Q 值測(cè)量范圍 2 ～ 1023 ，
固有誤差 ≤ 5 ％
工作誤差 ≤7％
電感測(cè)量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測(cè)量范圍 1 ～ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ～ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 ± 1 ％
信號(hào)源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻率分段（虛擬） 100 k～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字