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束蘊儀器(上海)有限公司
低成本桌面單點測量硅片或晶磚,用于在不同制備階段表征各種不同的硅樣品,無需內置自動化??蛇x手動操作的z軸厚度高達156毫米的硅磚樣品,高達156毫米硅磚,結果可視化的標準軟件。
MDPspot W
包括一個額外的電阻率測量選項。測量硅的電阻率,可用于沒有高度調節可能性的晶圓,或晶磚。必須預先定義這兩個選項中的一個。
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特點:
◇ 無接觸無破壞的電學半導體特性
◇ 包括μ-PCD測量選項
◇ 對迄今為止看不見的缺陷的可視化和外延層的研究具有的靈敏度
◇ 集成多達四個激光器,用于寬的注入水平范圍
◇ 獲取單次瞬變的原始數據以及用于特殊評估目的的地圖
技術規格:
單晶或多晶片、晶磚、電池、硅片、鈍化或擴散等不同生產步驟后的晶片 | |
樣品尺寸 | 50 x 50 mm2 以上到 12“ 或 210 x 210 mm2 |
電阻率 | 0.2 - 103Ω·cm |
材料 | 晶片、晶磚、部分或加工的硅片、化合物半導體等 |
測量參數 | 載流子壽命 |
尺寸 | 360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg |
電力 | 110/220 V, 50/60 Hz, 3 A |
優點:
◇ 臺式裝置,用于載流子壽命的單點測量,多晶硅或單晶硅在不同的制備階段,從原生材料到器件。
◇ 體積小,成本低,使用方便。附帶一個基本的軟件,用于在小型PC或筆記本上進行結果可視化。
◇ 適用于硅片到磚,操作高度調節方便。
細節:
◇ 允許單晶圓片調查
◇ 不同的晶圓級有不同的配方
◇ 監控物料、工藝質量和穩定性
附加選項:
◇ 光斑大小變化
◇ 電阻率測量(晶片)
◇ 背景/偏置光
◇ 反射測量(MDP)
◇ 軟件擴展
◇ 額外的激光器選配
MDPspot 應用:
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