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束蘊儀器(上海)有限公司
用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產和質量監控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。
MDPpro 850+
用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產和質量監控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。
特點 :
◇ 壽命范圍:20 ns至100 ms(樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm)
◇ SEMI標準:PV9-1110
◇ 測試速度:線掃描 < 30 s;完整的面掃秒 < 5 min
◇ 同時測量:壽命μPCD/MDP(QSS)和電阻率
◇ 自動幾何形狀識別: G12、M10晶磚和晶圓片
應用 :
◇ 壽命 & 電阻率面掃描
◇ 晶體生長監控(即滑移線)
◇ 污染監測
◇ 氧條紋/OSF環
◇ P 型摻雜硅的鐵面掃描圖
◇ 發射極層的方阻
◇ 更多…
技術規格 :
材料 | 單晶硅 |
晶錠尺寸 | 125 x 125至210 x 210 mm2,晶磚長850 mm或更長 |
晶圓尺寸 | 直徑可達300 mm |
電阻率范圍 | 0.5 – 5 ohm cm。根據要求提供其他范圍 |
導電類別 | p/n |
可測量的參數 | 壽命-μPCD/MDP(QSS)、光電導率、電阻率等 |
默認激光器 | IR激光二極管(980 nm,不超過500 mW)和IR激光二極管(905 nm,不超過9000 mW)。可根據要求提供其他波長 |
電腦 | Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2個以太網端口 |
電力要求 | 100 – 250 V AC, 6 A |
尺寸(寬*高*長) | 2560 × 1910 × 1440 mm |
重量 | 約200 kg |
認證 | 根據ISO 9001準則制造,符合CE要求 |
直拉硅單晶硅錠中的滑移線
含有大量缺陷的準單晶硅錠的壽命測量
MDP studio - 操作和評估軟件 :
用戶友好且的操作軟件具有:
◇ 導入和導出功能
◇ 帶有操作員的用戶結構
◇ 所有執行的測量概覽
◇ 樣品參數輸出
◇ 單點測量(例如:注入濃度相關的測量)
◇ 面掃描
◇ 測試配方
◇ 分析功能包
◇ 線掃描和單點瞬態視圖
配置選項:
◇ 光斑尺寸變化
◇ 電阻率測量(晶磚和晶圓片)
◇ 背景/偏置光
◇ 反射測量(MDP)
◇ LBIC
◇ P型摻雜硅中的鐵圖譜
◇ p/n檢測
◇ 條碼讀取器
◇ 自動幾何識別
◇ 寬的激光器波長范圍
MDPpro850+ 應用 :
鐵濃度測定
鐵的濃度的精確測定是非常重要的,因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此,有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度,具有非常高的分辨率且**是在線的
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