氫氣在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用 半導(dǎo)體制造技術(shù)作為信息時代制造的基礎(chǔ)，堪比工業(yè)時代的機床，是整個社會發(fā)展的基石和原動力。在產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的關(guān)鍵時期，我國也提出了《中國制造2025》，以通過智能制造實現(xiàn)由制造大國向制造強國的轉(zhuǎn)換。智能制造（工業(yè)4.0）的實現(xiàn)，以各種信息器件的使用為基礎(chǔ)，半導(dǎo)體制造技術(shù)正是其制造的核心技術(shù)。
而氫氣作為半導(dǎo)體制造中的氣源，在半導(dǎo)體材料及器件制備中起到至關(guān)重要的作用。可在光電器件、傳感器、IC制造中應(yīng)用。
目前半導(dǎo)體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長、干法刻蝕等工藝。
退火是通過高溫加熱釋放材料內(nèi)部應(yīng)力從而改善材料質(zhì)量的一種材料處理辦法，氫氣作為保護氣可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生長后釋放應(yīng)力。
氫氣也可以應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（ChemicalVaporDepositon）薄膜生長。化學(xué)氣相沉積是一種利用固態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)、氣態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)生成薄膜的設(shè)備，如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等；等離子增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等；電子回旋共振化學(xué)氣相沉積（ECR-CVD）中作為反應(yīng)氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜；金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時氫氣也可以在原子層沉積（AtomicLayerDeposition）中使用。
氫氣在等離子體刻蝕（RIE/ICP）中作為反應(yīng)氣體出現(xiàn)，等離子體刻蝕原理是利用反應(yīng)氣體離化后與材料發(fā)生反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，從而實現(xiàn)材料圖形化，是半導(dǎo)體器件制備的*工藝。
普拉勒氫氣發(fā)生器目前已大量應(yīng)用在以上工藝中，為半導(dǎo)體材料及器件制備提供好的氣源。
