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Novocontrol POT/GAL 15V 10A和30V 2A EC10
用于Alpha-A模塊化測量系統的電化學阻抗,介電,電導率,2、3和4電極光譜和增益相位測量的測試接口,帶有恒電位儀,恒電流儀
用于Alpha-A模塊化測量系統的電化學阻抗,介電,電導率,2、3和4電極光譜和增益相位測量的測試接口,帶有恒電位儀,恒電流儀
所述POT / GAL 15V 10A和30V 2A擴展測試接口的阿爾法-A模塊化測量系統特征高質量電化學阻抗譜EIS,導電率和介電譜與2,3和4的電極和增益相位測量。
對于電化學應用,包括用于定義的直流電壓和電流單元極化控制的快速恒電位儀和恒電流儀控制回路。這些可以與EIS的交流信號疊加。
像所有其他Alpha-A測試接口一樣,POT / GAL接口具有很高的整體性能,例如寬帶寬,超寬阻抗范圍和高精度,現在也可用于EIS應用程序。 EIS儀器的重??大改進。
除了EIS,還支持典型的電化學實驗,如循環伏安法和時域直流測量。
POT / GAL接口不僅針對具有強電極樣本接口極化效應的低阻抗樣本進行了優化,而且還可以精確測量高阻抗絕緣體。特別*使用這些接口來表征
POT / GAL接口包括用于直流和交流信號的高達±15 Vp,±10 Ap或±30 Vp,±2 Ap的高壓和電流輸出信號幅度。
對于不需要恒電位儀或恒電流儀控制的應用,可以使用直流電壓模式 。在這種模式下,POT / GAL接口還可用于具有擴展的輸出信號幅度范圍的通用介電,電導率和阻抗譜。
與ZG4測試接口一樣,POT / GAL接口具有兩個差分高阻抗電壓輸入通道,用于2個,3個和4個電極測量裝置。
3個電極布置是用恒電位器控制的電化學測量的標準。另外,可以有利地使用3或4個電極技術,以便部分補償電極-樣品界面的極化或接觸阻抗效應。
所述POT / GAL電壓信道輸入阻抗為10 12 Ω| 10 pF,超出大多數競爭儀器的范圍幾個數量級-EIS儀器的重??大改進。
為了減小將電壓輸入連接到電壓電極的電纜的容量,兩個電壓輸入均支持驅動屏蔽技術,該技術可使外部同軸電纜屏蔽層的電勢保持與敏感的內部電纜導體幾乎相同的電勢。
特殊功能
在EIS中,人們通常對大塊樣品材料的興趣不大,尤其是對金屬與電解質或離子導體界面處的極化層的特性以及相關的化學反應不感興趣。這恰好與電介質,電導率或阻抗材料光譜相反,在電介質,電導率或阻抗材料光譜中,這些效應被稱為電極極化,這是不希望的,并試圖通過例如4電極布置和特定單元來避免。
下面顯示了典型的電化學三電極測量的測量設置。
圖。1。用于阻抗測量的三電極電化學電池的原理設置。
除了兩個平行的平板電極(表示為對電極和工作電極)以外,第三電壓參考電極還靠近極化層放置,并測量極化雙層電容對工作電極的電壓差。與所有電極均由惰性金屬(例如金,不銹鋼或鉑)制成的介電,電導率和阻抗材料光譜法不同,這僅適用于電化學電池,僅用于將反電極向電解液中饋入電流。
工作電極由要表征的金屬與電解質組成。參比電極通常是填充有標準電解質的開放式尖的端玻璃毛細管,該標準電解質耦合至標準金屬以對電解質產生確定的電化學勢。
整個電池上的總電勢降由化學過程的所有貢獻(例如質量傳輸,化學和吸附步驟,電子轉移等)求和。通過測量阻抗譜V Ref *(ω)/ I S *(ω)和用等效電路模型對其進行擬合,可以將多個過程貢獻彼此分離。典型的評估包括確定與質量傳輸,電子轉移電阻,電解質電阻和雙層容量有關的Warburg阻抗。
由于在工作電極上會發生電化學反應,因此有必要將直流電勢V Ref保持在定義的值,或者向電池施加恒定的直流電。可以通過恒電位儀/恒電流儀直流電路完成此操作,如下所示。
圖2。具有差分基準電壓輸入的恒電位/恒電位電路的原理。
連接到CE電極的電壓放大器在穩壓器模式下將 兩個參考電極的差分電壓V Prc = V RE + -V RE--與預期電壓V setDC進行比較。放大器調整其輸出電壓,直到V Prc和V setDC 匹配為止,從而產生一個恒定且與采樣阻抗無關的參考電壓差,該差可以通過Vsetdc進行調節。在恒電流模式下,通過電流至電壓轉換器(V <-I)與測量的電池電流成比例地創建V Prc,從而獲得恒定的樣品電池電流。在兩種模式下,可變電容器Ct 調整控制環路時間常數,以避免開環增益過高引起的自由高頻振蕩。
為了進行阻抗測量,將附加的較小的交流電壓V AC疊加到V setDC上,并根據圖5測量交流響應。2。
如上所述,針對Alpha-A模塊化測量系統的兩個新的POT / GAL 測試接口經過優化,可通過疊加的受控電壓或電流對電解質進行電化學阻抗測量。
用于Alpha-A模塊化測量系統的介電,電導率,阻抗2、3和4電極光譜和增益相位測量的測試接口
對于所述ZG4擴展測試接口阿爾法-A模塊式測量系統具有高品質的通用電介質,導電性,阻抗2,3和4電極光譜和增益相位測量。
為了部分地補償電極-樣品界面的極化或接觸阻抗效應,可以有利地使用3或4電極技術。
ZG4具有與ZG2接口相同的功能,但具有兩個附加的差分電壓測量通道,用于3個和4個電極測量。
電壓通道輸入阻抗為10 12 Ω| 10 pF超出大多數競爭儀器的量程幾個數量級,因此可以看作是寬帶3和4電極測量的重大改進。
為了減小從ZG4電壓輸入到電壓電極的電纜容量,兩個電壓輸入均支持驅動屏蔽技術,該技術可使同軸電纜外屏蔽層的電勢保持與敏感的內部電纜導體幾乎相同的電勢。
與所有Alpha-A測試接口一樣,ZG4具有較高的通用性能,但特別*用于具有以下特性的介電或導電樣品:
ZG4可以與自己的樣品池一起用于材料測量。它不包括ZGS接口之類的樣本單元。對于兩個電極配置,建議使用BDS 1200無源樣品池。外部接口設計允許將ZG4放置在靠近樣品的位置,以大程度地減少電纜影響。采樣阻抗路徑中的電纜可能會由于電感而限制可用的高頻范圍,并會為高阻抗采樣產生低頻噪聲。
ZG4簡短規格
范圍 | |
頻率 | 3 µHz ... 40 MHz(13.1十年)* |
阻抗 | 10 -4 .. 10 14 Ω(16個十年) |
電容 | 1 fF ... 10 F(16年) |
損耗因子tan(δ) | 10 -5 .. 10 4 |
交流信號輸出 | 100 µV .. 3 Vrms |
直流偏置輸出 | −40 VDC .. + 40 VDC, 大70 mA ** |
信號發生器輸出阻抗 | 50Ω |
輸入電壓 | <±4.3 Vp直流或交流耦合 |
帶驅動屏蔽的差分電壓輸入 | |
輸入阻抗 | 10 12 Ω| 10 pF |
共模 抑制 | 在100 kHz以下<10 -4在1 MHz以下 <10 -3 dB |
輸入偏置電流 | <2 。10 -12 安 |
基本精度 | |
相對阻抗, 相對容量, 損耗因子tan(δ) | <3 。10 -5 *** |
相位角 | <2 m°*** |
解析度 | |
相對阻抗, 相對容量, 損耗因子tan(δ) | <10 -5 |
相位角 | <0.6 m° |
用戶校準 | 負載,短路,開路,內部自校準和診斷 |
*與AT型Alpha-A主機結合使用
**需要Alpha-A主機的直流偏置選項B
***有關詳細信息,請參閱規格表
在兩個間距為d的平行平板電極之間制備的材料的測量中,根據電極電壓差U S和電流I S的相位敏感測量來評估復介電常數,電導率或阻抗。該方法假定通過產生恒定電場E = U S / d ,施加的電壓U S在材料內均勻下降。
如果在電極樣品界面處存在不均勻的電層,該電不均勻層會產生明顯的電壓降,從而降低樣品中的電場,則該假設將不成立。這樣的層可以通過
對于低阻抗樣品,連接電極與分析儀電壓和電流端子的電纜的阻抗貢獻不可忽略,可能會產生類似的影響。
但是,原則上,如果使用如下所示的用于采樣電流和電壓測量的單獨電極,則可以抑制這些影響。
圖1:用于電極-樣品界面和電纜效應補償的四電極阻抗測量的原理設置。
外部的兩個電極對應于標準2電極配置的平行板。電壓由內部樣品區域中的兩個附加(例如環形或針形)電極測量,其中不存在界面效應,并且電場均勻。
如果使用具有無限輸入阻抗的儀器測量這兩個電壓,則流入電壓電極的電流可以忽略不計。結果,離子將不會在這里積累。由于電流可以忽略不計,因此觸點或電纜的阻抗貢獻也不會產生任何電壓降。在這種情況下,可以評估電壓電極之間的材料部分的電參數,而無需界面極化作用,也沒有電壓電極之間的電壓降和流過外部電極的電流產生的接觸或電纜效應。然而,唯1但實際上是至關重要且經常無法實現的要求是電壓通道的足夠高的輸入阻抗。
Novocontrol設備配置
都能夠以四線模式運行。對于NEISYS系列分析儀,這是專有的標準模式,而所有其他分析儀可以分別配置為三線和四線模式。
它們的輸入阻抗高于10 12 平行于為10pF,其通過幾個數量級超過大多數競爭文書的范圍,并因此可以看作是在寬帶三和四電極電介質,導電性的重大改進和電化學阻抗測量Ω 。
另一方面,特別是對于高頻下的高阻抗樣本,10 pF輸入容量可能與樣本容量的數量級相同,因此可能對測量結果有所貢獻。因此,在實踐中,三電極和四電極測量始終需要對流入電壓端子的電流以及觸點或電極界面處的相關壓降進行詳細分析。
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