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出口壓力	高壓	燃料	電加熱鍋爐
結構形式	立式

thermocera納米CVD石墨烯/碳納米管合成器

? 型號。納米CVD-8G（用于石墨烯合成）
?型號。納米CVD-8N（用于碳納米管）

每批僅需 1 分鐘，可輕松合成高質量石墨烯和碳納米管

CVD（化學氣相沉積）

CVD法是一種穩定的技術，已經建立了多種用途，它是未來大規模合成石墨烯和碳納米管的最現實的方法，因此我們在這臺機器中采用了CVD方法。制造商Moorfield與英國國家研究所合作，多次驗證了這種薄膜沉積實驗裝置。在與研究機構的合作下，已經驗證了使用拉曼光譜，SEM，AFM等分析數據可以制備高質量的石墨烯和CNT樣品。

冷壁CVD

采用冷壁/高溫樣品加熱臺（熱板），反應快，重現性好。設備小型化，加工時間縮短，可操作性強，可創建并存儲30種合成配方。除了標準系統配置外，還可以根據要求定制設備配置。 nanoCVD系統是一種實驗裝置，盡管體積小，但具有為基礎研究和開發領域做出貢獻的無限潛力。

特征

無需使用大型設備即可輕松進行石墨烯碳納米管（SWNT）沉積實驗
1批次只需30分鐘！
冷壁式高效高精度過程控制
快速升溫：室溫→1100°C約3分鐘
高性能機器，具有高精度的溫度流量控制和出色的可重復性
操作簡單！通過 5 英寸觸摸屏進行操作和配方管理
最多可創建和保存 30 個配方和 30 步合成程序。
標配專用軟件，數據記錄為輸出PC上的CSV文件
USB電纜連接，PC端的配方創建→上傳到設備

thermocera納米CVD石墨烯/碳納米管合成器

主要規格

A. 主要規格

1. 反應室	不銹鋼SUS304泄漏檢查
2. 加熱階段	陶瓷
3. 兼容的樣本量	20 x 40毫米
4. 加熱加熱器	高純石墨加熱器MAX1050°C
5. 溫度控制	包括K型熱電偶標準（安裝在加熱臺下方）

B. 過程控制設備規格

1. 氣體控制	質量流量控制器 x 3 （Ar， H2， CH4）
2. 壓力控制	20托爾·
3. 真空抽真空	包括愛德華茲旋轉泵RV3（3?/小時）
4. 操作面板	前置式 5 英寸觸摸屏（歐姆龍）
5. 風冷	通過冷卻風扇對外殼進行內部冷卻
6. 控制系統	PLC自動過程控制

C. 軟件（包括標準）

1. 納米CVD軟件	包括標準（安裝石墨烯的標準程序）
2. 界面	USB 2.0 連接
3. 設置次數	最多可以創建和保存 30 個配方和 30 個步驟

D. 氣體引入連接規格

1. 工藝氣體	2 x 4/1 英寸世偉洛克卡套管連接，用于 Ar、H4、CH3
2. 載氣	N2 或 AR φ6mm 推鎖管連接 x 1

E. 安全裝置

1. 過熱	由安裝在加熱臺上的熱電偶控制
2. 外殼內部過熱	從內部溫度開關
3. 氣壓異常	從質量流量控制器
4. 真空減少	從真空傳感器

F. 公用事業

權力	AC200V 單相 50/60Hz 13A
1. 工藝氣體壓力	最大 30psi 200sccm
2. 載氣壓力	60-80磅/平方英寸

G. 尺寸和重量

1. 尺寸	405毫米（寬） x 415毫米（深） x 280毫米（高）
2. 重量	約27公斤

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