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伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術獲取高反射吸收Ta2O5薄膜

閱讀:570發布時間:2020-10-16

為了獲取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術鍍制 Ta2O薄膜進行研究.

 

其系統工作示意圖如下:

該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺等部分組成.

 

其中雙離子源中的一個離子源適用于濺射靶材, 另個離子源是用于基材的預清洗.

 

用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數如下:

 

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數:

射頻離子源型號

RFICP 380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

推薦理由:

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

 

用于預清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000

 

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術參數:

離子源型號

 

霍爾離子源

eH3000
eH3000LO
eH3000MO

Cathode/Neutralizer

HC

電壓

50-250V
50-300V
50-250V

電流

20A
10A
15A

散射角度

>45

可充其他

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

氣體流量

5-100sccm

高度

6.0“

直徑

9.7“

水冷

可選

 

其濺射室需要沉積前本底真空抽到 1×10-5Pa, 經推薦采用伯東分子泵組  Hicube 80 Pro, 其技術參數如下:

進氣法蘭

氮氣抽速
 N2,l/s

極限真空 hpa

前級泵

型號

前級泵抽速
 m³/h

前級真空
安全閥

DN 40 ISO-KF

35

< 1X10-7

Pascal 2021

18

AVC 025 MA

 

運行結果:

伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術可以制備不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O薄膜.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口的代理商.

 


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