測量范圍	Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT開關時間參數測試	測量精度	1200V/200A的輸出能力
產地	國產	外形尺寸	MOSFET&IGBT開關時間參數測試mm

天光測控IGBT開關特性測試儀——型號：供應廠家：天光測控；型號：ST-DP_X（1200V200A）；
用途：用于 Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT開關時間參數測試，1200V/200A的輸出能力，覆蓋幾乎所有的半導體分立式單管器件；029*8730*9001/180*9264*3147，歡迎垂詢

詳細介紹

天光測控IGBT開關特性測試儀

ST-DP_X（1200V200A）

產品簡介

*品牌： 天光測控

*型號： ST-DP_X（1200V200A）

*用途：用于 Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT開關時間參數測試，

1200V/200A的輸出能力，覆蓋幾乎所有的半導體分立式單管器件

*029*8730*9001/80*9264*3147，歡迎垂詢

*參數指標：

開通延遲 td(on) 0.1ns~10us 關斷延遲 td(off) 0.1ns~10us

上升時間 tr 0.1ns~10us 下降時間 tf 0.1ns~10us

開通時間 ton 0.1ns~10us 關斷時間 toff 0.1ns~10us

開通損耗 Eon 1uJ~1000mJ 關斷損耗 Eoff 1uJ~1000mJ

拖尾電流 0.1A~30A

*關于售后：質保一年，提供免費上門巡檢服務；客服7*24小時開通/電腦遠程服務。

產品簡述

天光測控IGBT開關特性測試儀是主要針對半導體功率器件的動態參數測試而開發設計。通過DUT適配器的轉換，可測試各類封裝外觀的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模塊、DBC襯板以及晶圓。產品功能模塊化設計，根據用戶需求匹配功能單元。測試功能單元有DPT（雙脈沖測試 Double Pulse Testing，以下簡稱DPT。包含開通特性、關斷特性、反向恢復特性）柵電荷、短路、雪崩、結電容、柵電阻、反偏安全工作區等。測試方案*符合IEC60747-9標準。
產品功能及輸出功率進行了模塊化設計，滿足用戶潛在的后期需求，*高測試電壓電流可擴展至10KV/10KA，變溫測試支持常溫到200℃，支持生產線批量化全自動測試。

產品特點

? *測試系統電壓以1500V為一個模塊，電流以2000A為一個模塊，可擴展至10KA/10KV
? *內置7顆標準電感負載可選用, 另有外接負載接口,可實現不同電感和電阻負載測試需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)
? *另有程控式電感箱可供選擇
?* 針對不同結構的封裝外觀，通過更換 DUT適配器即可
? *可進行室溫到200℃的變溫測試,也可實現子單元測試功能
? *測試軟件具有實驗模式和生產模式，測試數據可存儲為Excel文件
? *門極電阻可任意調整, 系統內部寄生電感為*小至50nH
? *系統測試性能穩定,適合大規模生產測試應用（24hr 工作）
? *安全穩定（PLC 對設備的工作狀態進行全程實時監控并與硬件進行互鎖）
? *系統具有安全工作保護功能，以防止模塊高壓大電流損壞時對使用者造成傷害，設計符合CE認證
? *支持半自動和全自動測試
? *采用品牌工控機，具有抗電磁*力強，排風量大等特點
?* 自動化：單機測試時只需手動放置DUT，也可連接機械選件實現自動化測試線
? *智能化，通過主控計算機進行操控及數據編輯，測試結果自動保存及上傳局域網
? *安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護等多重保護措施，確保操作人員、設備、數據及樣品安全。