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天津瑞利光電科技有限公司
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產品介紹每個檢測器具有100mm2的有源面積和用于在12nm和18nm之間進行檢測的直接沉積的薄膜濾波器
每個檢測器具有100mm2的有源面積和用于在12nm和18nm之間進行檢測的直接沉積的薄膜濾波器。兩種探測器在13.5nm處都具有0.09A/W的典型響應度，并且針對不同的電性能進行了優化。光電二極管非常適合用于激光功率監測、半導體光刻和利用極紫外光的計量系統等應用。SXUV100TF135針對更高速的反向偏置電壓操作進行了優化。該器件具有低電容，通常為260pF，反向偏置電壓為12伏。
產地：法國
擊穿電壓：25 V
配置：單個
模塊：否
包裝：陶瓷
包裝類型：陶瓷
光電探測器類型：PN
操作模式：光電導
波長范圍：18至80 nm
響應時間：20 ns
反向電壓：25 V
光譜帶：紫外線
電容：220至350 pF
暗電流：8至25 nA
響應性/感光度：0.08至0.1 A/W@13.5 nm
有效面積：100 mm2（10 mm x 10 mm）
工作溫度：-10至40℃
儲存溫度：-10至40℃
激光功率監測
半導體光刻
計量系統
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