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晶片的主要技術參數：
A、晶片的伏安特性圖：
B、順向電壓（VF）：施加在晶片兩端，使晶片正向導通的電壓。此電壓與晶片本身和測試電流存在相應的關系。VF過大，會使晶片被擊穿。
C、順向電流（IF）：晶片在施加一定電壓后，所產生的正向導通電流。IF的大小，與順向電壓的大小有關。晶片的工作電流在10-20mA左右。
D、逆向電壓（VR）：施加在晶片上的反向電壓。
E、逆向電流（IR）：是指晶片在施加反向電壓后，所產生的一個漏電流。此電流越小越好。因為電流大了容易造成晶片被反向擊穿。
F、亮度（IV）：指光源的明亮程度。
G、單位換算：1cd=1000mcd、波長：反映晶片的發光顏色。不同波長的晶片其發光顏色也就不同。單位：nm。
H、光：是電磁波的一種。波長在0.1mm-10nm之電磁波稱為光。光可分為：波長大于0.1mm稱為電波；760nm-0.1nm叫紅外光;380nm-760nm叫可見光; 10nm-380nm叫紫外光；波長小于10nm的是X線光。
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