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化工業uv光催化氧化設備當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產生光生電子（e-）和空穴（h+）。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。

詳細介紹

化工業uv光催化氧化設備UV光催化設備能高效去除揮發性有機物、硫化氫、氨氣等無機物類污染物，以及各種惡臭味，脫臭效率高，脫臭效果大大優于國家頒布的惡臭污染物排放標準。

UV光催化設備無任何機械裝置，無運動噪音，無需專人管理和日常維護，只需要作定期檢查維護，維護和能耗成本低，風阻極低，可節約大量排風動力能耗，達到節能的目的。設備結構簡單，維修保養方便，可以根據處理風量進行定制；凈化效率高、容塵量大、阻燃、阻力小、使用壽命長。

化工業uv光催化氧化設備采用高強度納米紫外線破壞、分解大分子鏈為小分子鏈，再利用臭氧和羥基自由基氧化、催化劑進行催化氧化，使有機物變為水和二氧化碳，以達到去除有機物的目的。

UV光解氧催化凈化無需添加任何物質：只需要設置相應的排風管道和排風動力，使氣體通過本設備進行脫臭分解凈化，無需添加任何物質參與化學反應。可適應高濃度，大氣量，不同有機化學氣體物質的凈化處理，可每天可長時間連續工作，運行穩定可靠。

由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數的有機物氧化至產物CO2和H2O,甚至對一些無機物也能分解。