模擬高斯計F3A

SENIS模擬高斯計F3A系列產品介紹

F3A模擬高斯計*集成3軸霍爾探頭。

霍爾探頭包含一個CMOS集成電路，它包含三組相互正交的霍爾元件，偏置電路，放大器，

和溫度傳感器。集成的霍爾元件只有非常小的面積（150μm×150μm），探頭具有非常高的空間分辨率。 CMOS IC技術可以在垂直和水平霍爾元件的制造中實現非常高的精度，從而提供探頭的三個測量軸的高角度精度（正交誤差<0.1°）。旋轉電流技術在霍爾元件偏置中的應用抑制了平面霍爾效應。片上信號預處理可實現探頭的*頻率帶寬（DC至25 kHz）;并且片上信號放大提供霍爾探頭的高輸出信號，這使得傳感器免受電磁干擾。

霍爾探頭與電子盒連接（圖1中的模塊E）。模塊E為霍爾探頭提供偏置，并對其進行額外調節霍爾探頭輸出信號：放大，線性化，抵消偏移，溫度變化補償和頻率帶寬限制。

F3A磁傳感器的輸出可在模塊E的連接器CoS處獲得：這些是與磁通量的每個測量組件成比例的高電平差分電壓密度;以及與探頭溫度成比例的接地參考電壓。

產品特性

1.*集成的CMOS 3軸（Bx，By，Bz）霍爾探頭，可以使用其中的一個，兩個或三個通道

2.非常高的空間分辨率（By：0.03 x 0.005 x 0.03mm 3; Bx和Bz：0.15 x 0.01 x 0.15 mm 3）

3.高角度精度（正交誤差小于0.1°）

4.幾乎沒有平面霍爾效應?

5.高帶寬（從DC到25kHz）

6.高抗干擾性

7.探頭上的感應回路可忽略不計

8.探頭上的集成溫度傳感器用于溫度補償

典型應用

1.永磁鐵的性能與質量控制

2.磁鐵系統的研發

3.磁場映射

4.磁鐵的質量控制和監控 （發電機，電動機等）

5.在實驗室和生產線中應用

圖1. 采用SENIS磁場 - 電壓傳感器的典型測量裝置，帶有*集成的霍爾探頭（模塊H）和電子（模塊E）

圖2. 帶有*集成霍爾探頭的3軸磁場傳感器

模塊H參數

霍爾探頭具有多種不同的幾何形狀/尺寸，可滿足廣泛的應用需求。

磁場與電子參數

除非另有說明，否則所有用于三個B測量通道Bx，By和Bz的參數，適用于室溫（23°C）和設備預熱15分鐘后。

模塊E：機械與電子參數