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閱讀：126發(fā)布時(shí)間：2023-2-11
碳化硅陶瓷球具有優(yōu)異的機(jī)械性能、優(yōu)異的抗氧化性、高耐磨性和低摩擦系數(shù)。碳化硅陶瓷球的高溫強(qiáng)度較高，普通陶瓷材料的強(qiáng)度在1200~1400℃時(shí)會(huì)明顯降低，而碳化硅的抗彎強(qiáng)度在1400℃時(shí)仍保持在500~600℃MPa工作溫度可達(dá)到1600~1700攝氏度。
碳化硅基復(fù)合材料(SiC-CMC)其高韌性、高強(qiáng)度、優(yōu)異的抗氧化性能在航天領(lǐng)域的高溫?zé)峤Y(jié)構(gòu)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC-CMC制備過(guò)程包括纖維預(yù)制成型、高溫處理、中間涂層、基底致密和后處理。高強(qiáng)度碳纖維具有高強(qiáng)度和良好的韌性，預(yù)制體具有良好的機(jī)械特性。
中間相涂層（即界面技術(shù)）是制備過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)。中間相涂層的制備方法包括化學(xué)氣相滲透法(CVI)，化學(xué)氣相沉積法(CVD)，凝膠-溶膠法(Sol-gcl)，聚合物浸漬裂解法(PLP)，制備碳化硅基復(fù)合材料最合適的方法是CVI法和PIP法。
界面涂層的材料包括熱解碳、氮化硼和碳化硼，其中碳化硼作為抗氧化界面涂層越來(lái)越受到重視。它通常長(zhǎng)期用于氧化條件SiC-CMC，通過(guò)抗氧化處理也是必要的CVD這個(gè)過(guò)程在產(chǎn)品表面沉積了大約100層厚度μm提高其高溫抗氧化性能的致密碳化硅。
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