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山東金源環境科技有限公司
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半導體光催化劑大多是n型半導體材料都具有區別于金屬或絕緣物質的特別的能帶結構,即在一個價帶和導帶之間存在一個禁帶。由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg（eV）的關系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產生光生電子（e-）和空穴（h+）。
光催化氧化
半導體光催化劑大多是n型半導體材料都具有區別于金屬或絕緣物質的特別的能帶結構,即在一個價帶和導帶之間存在一個禁帶。由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數的有機物氧化至zui終產物CO2和H2O,甚至對一些無機物也能*分解。
原理：
一、利用特制的高能高臭氧UV紫外線光束照射惡臭氣體，改變惡臭氣體如：氨、*胺、硫化氫、甲硫氫、甲硫醇、甲硫醚、二甲二硫、二硫化碳和苯乙烯，硫化物H2S、VOC類，苯、甲苯、二甲苯的分子鏈結構，使有機或無機高分子惡臭化合物分子鏈，在高能紫外線光束照射下，降解轉變成低分子化合物，如CO2、H2O等。
二、利用高能高臭氧UV紫外線光束分解空氣中的氧分子產生游離氧，即活性氧，因游離氧所攜正負電子不平衡所以需與氧分子結合，進而產生臭氧。UV＋O2→O-+O＊(活性氧)O+O2→O3(臭氧),*臭氧對有機物具有*的氧化作用，對惡臭氣體及其它刺激性異味有*的清除效果。
三、惡臭氣體利用排風設備輸入到本凈化設備后，凈化設備運用高能UV紫外線光束及臭氧對惡臭氣體進行協同分解氧化反應，使惡臭氣體物質其降解轉化成低分子化合物、水和二氧化碳，再通過排風管道排出室外。
四、利用高能UV光束裂解惡臭氣體中細菌的分子鍵，破壞細菌的核酸（DNA），再通過臭氧進行氧化反應，*達到脫臭及殺滅細菌的目的．
2、技術特點
一、高效除惡臭：能高效去除揮發性有機物（VOC）、無機物、硫化氫、氨氣、硫醇類等主要污染物，以及各種惡臭味，脫臭效率可達99.9%以上。
二、無需添加任何物質：只需要設置相應的排風管道和排風動力，使惡臭氣體通過本設備進行脫臭分解凈化，無需添加任何物質參與化學反應。
三、適應性強：可適應高濃度，大氣量，不同惡臭氣體物質的脫臭凈化處理，可每天24小時連續工作，運行穩定可靠。
四、運行成本低：本設備無任何機械動作，無噪音，無需專人管理和日常維護，只需作定期檢查，本設備能耗低，只需電費，沒有其他耗材。
五、無需預處理：惡臭氣體無需進行特殊的預處理，如加溫、加濕等,設備工作環境溫度在攝氏-30℃－95℃之間，濕度在40%－98%之間均可正常工作。
六、設備占地面積小，自重輕：適合于布置緊湊、場地狹小等特殊條件，設備占地面積＜1平方米/處理10000m3/h風量。
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