IGBT管、可控硅、二極管通態壓降測試儀●　有不少用戶來電詢問有沒有一種可以直接測量功率場效應管、IGBT管、可控硅等器件判斷“電流"大小的儀器?　　　　　其實器件通過電流的大小的能力是:　　　　　 　　　
⑴、和器件芯片的面積成正比。即：芯片面積越大可以通過的電流就大，反之則小。　　　　　　　　　
⑵、和器件導通時的壓降成反比。即：通態壓降越小的管子就可以承受更大的通態電流。　　　　　　　　　
⑶、和器件的散熱面積成正比。即:封裝越大可承受的功耗和電流相對就大,反之則小。　　　
●　IGBT管、可控硅、二極管通態壓降測試儀這三個因素直接關系到器件輸出電流能力的大小；由于芯片是封在器件里面的無法檢測,設計產品時器件的型號和封裝及散熱條件也已確定,所以我們只能通過測量器件在大電流時的通態壓降來檢驗器件的質量好壞，為此我們也必須要學會看器件的基本參數,在眾多參數中我們更要知道和輸出電流、輸出功率有關的參數。　　　　　　　　　
⑴、功率場效應管的內阻：Rds。如:（IRF3205在62A的條件下測試 Rds ≤0.008Ω）。　　　　　　　　　
⑵、IGBT管的飽和壓降：Vce(sa