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測量范圍	igbt mos bjt	測量精度	Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸	500（寬）x 450（深）x 250（高）cm；mm	用途	檢修地鐵汽車
重量	30kg

軌道級IGBT模塊動態參數測試儀廠家直供。
產品系列
晶體管圖示儀
半導體分立器件測試篩選系統
靜態參數測試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動態參數測試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環境老化測試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

二、便攜式igbt靜態參數測試儀產品特點

獨立的動態或靜態測試，或動靜態一體測試
系統整體寄生電感低于30nH
電流輸出能力10A到2000A(短路的5500A)
電壓輸出能力從50V到1500V
雪崩和短路測試可用。
IGBT測試*符合IEC 60747-9-2.0版
二極管測試*兼容測試IEC 60747-2-2.0版
可定制的測試選項
*符合安全標準
提供自動測試平臺，實現和自動化機械的無縫連接
無縫數據傳輸和數據統計分析
*新的圖形用戶界面

三、便攜式igbt靜態參數測試儀測試能力

柵極漏電流 IGES ：Ige 0 - 10μA,Vge 0-100V
柵極閥值電壓 VGE(th) ：Vge 0 - 20V ,ice 0-2A
導通特性 VCEsat：Vce 0 - 10V，Ice 0-8000A
開通電阻 Rdson:0.1-500ohm
正向特性 VF:Vf 0 - 10V，If 0.1-2000A
C-E擊穿電壓 VCES: Ice 0.1uA-100mA ,Vce 0-10000V
集電極關斷電流 ICES: Vce0 - 10000V Ice0.01 - 100mA

測試選件：

夾斷電壓 VP

適用于模塊類型：

HPD，HP1，HP2，雙面散熱等封裝形式的汽車級模塊

晶體管圖示儀
半導體分立器件測試篩選系統
靜態參數測試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動態參數測試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環境老化測試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

參數/條件
	參數		ENJ 35200 IGBT	ENJ 30200 IGBT
	參數		靜態參數自動測試系統	靜態參數手動測試系統
	條件		靜態參數自動測試系統	靜態參數手動測試系統
柵極-發射極漏電流IGES
IGES: 0.1-10uA±3±0.1uA
集電極電壓VCE: 0V
柵極電壓 VGE: 20V ±3±0.2V
集電極-發射極電壓BVCES
集電極電壓VCES: 100-3500V±5±10V（選配）
集電極電流ICES: 0.1-30mA±5±0.01mA		100-3500V±5±10V		100-3000V±5±10V
柵極電壓 VGE: 0V
集電極發射極飽和電壓VCESAT
VCESAT:0.1-10V
柵極電壓 V G E : ±15V±2±0.2V
集電極電流ICE:10-200A±5（選配）			10-200A±5	10-200A±5
集電極-發射極截止電流ICES
集電極電流ICES: 0.1-30mA±5±0.01mA			100-3500V±5	100-3000V±5
集電極電壓VCE: 100-3500V±5（選配）
柵極電壓V G E : 0V
柵極-發射極閥值電壓測試VGETH
VGETH: 0.1-10V±3±0.1V
VGE=VCE
集電極電流ICE: 30mA±3
二極管壓降測試VF
VF: 0.1-5V±3±0.01V
柵極電壓VGE: 0V
電	流 I F :10-200A±5（選配）		10-200A±5	10-200A±5
導通電流 IC:10-200A±5
柵極電壓VGE:±15V±0.2V