華科智源替代大功率ITC57300的參數測試儀

IGBT是廣泛應用于現代中、大功率變換器中的主流半導體開關器件，其開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準確測量功率開關元件的開關性能具有極其重要的實際意義。

，華科智源替代大功率ITC57300的參數測試儀該系統是針對IGBT器件的開關性特性及IGBT內部續流二極管的反向恢復特性而專門設計的一套全自動測試系統，適用于電流不超過1600A和集電極電壓不超過5000V的IGBT器件開關時間測試以及正向電流不超過1600A的二極管反向恢復特性的測試。

一、產品簡述
TRd 2015系列是一款專門針對汽車級IGBT模塊的低電感動態特性測試系統，提供30nH以內系統寄生電感，2000A/1500V動態輸出能力，5500A短路電流, 200度高溫平臺，適用于HPD，HP1，HP2，double side cooling等封裝形式的汽車級模塊。
二、產品特點

1. 獨立的動態或靜態測試，或動靜態一體測試
2. 系統整體寄生電感低于30nH
3. 電流輸出能力10A到2000A(短路的5500A)
4. 電壓輸出能力從50V到1500V
5. 雪崩和短路測試可用。
6. IGBT測試*符合IEC 60747-9-2.0版
7. 二極管測試*兼容測試IEC 60747-2-2.0版
8. 可定制的測試選項
9. *符合安全標準
10. 提供自動測試平臺，實現和自動化機械的無縫連接
11. 無縫數據傳輸和數據統計分析
12. *新的圖形用戶界面

1. 系統整體寄生電感 lt;30nH
2. 電流輸出：10A-2000A
3. 電壓輸出：50V-1500V
4. 短路電流 大5500A
5. 自動測試平臺：BTA 07 無縫兼容自動化測試產線

三、測試能力

1. 柵極漏電流 IGES ：Ige 0 - 10μA,Vge 0-100V
2. 柵極閥值電壓 VGE(th)  ：Vge 0 - 20V ,ice 0-2A
3. 導通特性 VCEsat：Vce 0 - 10V，Ice 0-8000A
4. 開通電阻 Rdson:0.1-500ohm
5. 正向特性 VF:Vf 0 - 10V，If 0.1-2000A
6. C-E擊穿電壓 VCES:  Ice 0.1uA-100mA ,Vce 0-10000V
7. 集電極關斷電流 ICES: Vce0 - 10000V Ice0.01 - 100mA

• 測試選件：

夾斷電壓 VP 

• 適用于模塊類型：

HPD，HP1，HP2，雙面散熱等封裝形式的汽車級模塊

晶體管圖示儀
半導體分立器件測試篩選系統
靜態參數測試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動態參數測試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環境老化測試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件