在線式IGBT參數測試儀-華科智源
IGBT綜合特性測試儀

一：主要特點
   在線式IGBT參數測試儀-華科智源可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1200A（可擴展至1600A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發電，變頻器，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現完美的在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試；

測試參數：
ICES  集電極-發射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流  
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發射極飽和電壓
ICON 通態電極電流
VGEON 通態柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。
 
二：華科智源HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT測試儀應用范圍
A：IGBT單管及模塊，
B：大功率場效應管（Mosfet）
C：大功率二極管
D：標準低阻值電阻
E：軌道交通，風力發電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業篩選以及在線故障檢測

• 華科智源IGBT測試儀系統特征：

A：測量多種IGBT、MOS管
B：大脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；
C：脈沖寬度 50uS~300uS
D：Vce測量精度2mV
E：Vce測量范圍>10V
F：電腦圖形顯示界面
G：智能保護被測量器件
H：上位機攜帶數據庫功能
I：MOS IGBT內部二極管壓降
J : 一次測試IGBT全部靜態參數
H: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
 
華科智源IGBT測試儀針對 IGBT 的各種靜態參數而研制的智能測試系統；自動化程度高（按照操作人員設定的程序自動工作），計算機可以記錄測試結果，測試結果可轉化為文本格式存儲，測試方法靈活（可完美測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試），安全穩定（對設備的工作狀態進行全程實時監控并與硬件進行互鎖），具有安全保護功能，測試速度方便快捷。
 
四：測試原理圖

3.1  IGBT靜態參數測試部分

在線式IGBT測試儀接線示意圖

特征曲線舉例：
Vce-IC特征曲線
 
 
Vgth-Vce特征曲線

軟件測試界面
六：華科智源IGBT測試儀制造標準
華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術規格書的要求外，在其設計、制造、試驗、檢定等制程中還應滿足以下標準的版本。
GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
GB 13869-2008 用電安全導則
GB19517-2004 國家電器設備安全技術規范
GB 4208-2008 外殼防護等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志
GB/T 15139-1994 電工設備結構總技術條件
GB/T 2423 電工電子產品環境試驗
GB/T 3797-2005 電氣控制設備
GB/T 4588.3-2002 印制板的設計和使用
GB/T 9969-2008 工業產品使用說明書總則
GB/T 6988-2008 電氣技術用文件的編制
GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器
GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管