華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種復合了功率場效應管和電力晶體管的優(yōu)點而產(chǎn)生的一種新型復合器件,它同時具有MOSFET的高速開關及電壓驅動特性和雙極晶體管的低飽和電壓特性，易實現(xiàn)較大電流的能力，既具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好和驅動電路簡單的優(yōu)點，又具有通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大的優(yōu)點。近年來IGBT成為電力電子領域中尤為矚目的電力電子器件，并得到越來越廣泛的應用。那么IGBT的測試就變的尤為重要了。

    IGBT的測試包括靜態(tài)參數(shù)測試、動態(tài)參數(shù)測試、短路測試、熱阻測試等，這些測試中zui基本的測試就數(shù)靜態(tài)參數(shù)測試，只有保證IGBT的靜態(tài)參數(shù)沒有問題的情況下，才進行像動態(tài)參數(shù)（開關時間、開關損耗、續(xù)流二極管的反向恢復）、短路、熱阻方面進行測試，所以這里華科智源先介紹下IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試，

   要進行IGBT靜態(tài)參數(shù)測試，首先就要了解IGBT有哪些靜態(tài)參數(shù)，IGBT靜態(tài)參數(shù)有BVCES, ICES, IGES, VGE(TH), VCE(SAT), VF等。
BVCES：在柵極G和發(fā)射極E短路時，在加一定的IC下，IGBT的集電極C和發(fā)射極E之間的擊穿電壓。
ICES:在柵極G和發(fā)射極E短路時，在加一定的VCE下，IGBT的集電極C和發(fā)射極E之間的漏電流。
IGES:在集電極C和發(fā)射極E短路時，在加一定的VGE下，IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間的漏電流。
VGE(TH):在一定的IC下，IGBT的開啟電壓。
VCE(SAT):在柵極G和發(fā)射極之間加一定的VGE(大于VGE(TH)),一定的IC下，IGBT的集電極C和發(fā)射極E之間的飽和壓降。
VF:在一定的IE下，續(xù)流二極管的電壓降。
要判斷一個IGBT器件的好壞，就需要對以上這些參數(shù)進行測試，測試結果就要和IGBT生產(chǎn)廠家出的IGBT的規(guī)格書中的電氣特性這一欄里邊的范圍進行比較，在范圍之內(nèi)就合格，否則不合格。

   那怎么才能測出IGBT這些參數(shù)的結果呢？這就需要根據(jù)器件的datasheet中的電氣特性中所給出的測試條件，用一些電壓源、電流源來滿足這些測試條件，并把這些條件加到IGBT的端子上，然后用電壓表、電流表來測出值來。這種測試方法有一個弊端就是效率低，測一個參數(shù)，就要手動去接一次線，測六個參數(shù)就要接六次線，測試一個IGBT器件就要做這么多的工作，所以這種方法費時、費力，不推薦用這種方法。
   測試IGBT還是要用專業(yè)的測試設備，這里我推薦一種IGBT的測試設備，就是華科智源產(chǎn)的IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，這個測試設備能達到電壓5000V,電流1600A。測試的種類也比較多，可以測IGBT單管，IGBT模塊，半橋模塊，全橋模塊，雙單元模塊，四單元模塊，六單元模塊，七單元模塊。針對每一個IGBT的測試，都是一次編程，終身使用，來了一個新品種的IGBT，就要對它進行一次編程，后期都是對程序調(diào)用來使用的，使用非常的方便。編程就是對要測的參數(shù)和測試條件來編程，每一次編程都可以把以上介紹的6個參數(shù)全編進去，然后測試，一次性把6個參數(shù)全部測試完成，也可以單步測試，還可以每次編程只編一個參數(shù)或者6個參數(shù)中其中幾個參數(shù)，非常的靈活，測試結果的保存在電腦硬盤中，不存在關機后測試數(shù)據(jù)丟失的問題，而且機器自動判斷器件的好壞，不需要人工判斷，滿足了各種使用者的各種需求。所以說華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)這款設備功能強大，使用靈活方便。這個設備不僅可以用在高鐵，地鐵檢修段的牽引變流器中的IGBT檢修，在IGBT封裝廠，在風力發(fā)電，在電焊機，在逆變器變頻器等領域都能夠發(fā)揮它的功效。

深圳市華科智源科技有限公司，致力于電力電子測試方案供應商，主要提供電力電子相關的大功率器件測試儀、IGBT測試儀、變流器IGBT測試儀、牽引系統(tǒng)IGBT測試儀，半導體參數(shù)圖示儀、IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀、MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀、IPM測試儀、雪崩耐量測試儀、浪涌測試儀等功率半導體測試設備。