吳中區活性炭吸附設備*常州天之尚環保公司廣泛治理于工業廢氣治理、voc廢氣治理、焊接煙塵凈化、工業粉塵處理、除臭等環境污染治理工程及處理設備的研發應用，公司以*的技術、優秀的設計方案、精良的設備加工能力、專業的施工隊伍及完善的售后服務。

另外，成為這樣的處理劑的氧化鈣，可以通過將成型為粒狀的氫氧化10鈣為  了脫水而燒成而得到。在這種情況下，適當選擇燒成溫度或者時 間， 由此還可以在一次粒子內部殘留氫氧化鈣。
    進而，成為這樣的處理劑的氧化鈣，可以通過將氧化鈣利用水合反應 而轉換成氫氧化鈣之后，對該氫氧化鈣進行再燒成而得到 。這是因為 ，反 復進行鈣的氧化與氫氧化，使得在維持一次粒子結構的情況下，利用摩爾巴體積的不同而在一次粒子的表面有效地形成微細孔。
    在本設備 的廢氣的處理方法中，使由半導體制造裝置所排出廢氣，在 氣態下，直接與上述的廢氣處理劑以氣相方式接觸。由此，廢氣中的有害 氣體成分與廢氣處理劑表面的氫氧化鈣發生反應而被除去。廢氣中的毒性 氣體成分為 ，例如，可以列舉B、Al、Ga、In 、Si 、Ge 、p 、A s  等，屬于20元素周期表 中的 IIlb 族、IVb族、或者 Vb 族的元素的氫氧化物及／或鹵化物等。
    此時的化學反應例如 ，如下所示 。
    CF4十2Ca(OH)2→2CaF2 + C02+H20（ 1) SiH4 + Ca (OH) 2 + 202→CaSi03+ 3H2 0（ 2 )2s2PH 3 十 3Ca( OH)2 + 402 →Ca 3(P04 )2十6H 20（ 3 )在廢氣中不含氧的情況下，在反應式 （ 2 ）、  ( 3） 中的氧，另由外部 來供氧。此時維持的優選溫度 （ 處理溫度> 為 400 ℃以下。因為若鈣溫度 超過 400 ℃，則處理劑分解而導致控基消失。
    這樣，由于這些的化學反應是發熱反應  ，因此作為優選控制如下：在30處理時不需要加熱，反而進行冷卻而在規定 的溫度下進行 。
    月200580003360. 6說明書第6/ 12頁本設備的半導體制造裝置 ，是用于制造半導體裝置 、平板顯示器、太 陽能電池、磁性體薄膜等 的裝置 ，是指利用化學氣相沉積 （CVD） 反應制 造這些的裝置 。
    本設備 的廢氣處理裝置 ，例如 ，如圖 l所示 ，由以下部分構成：反應5除去部1：廢氣處理劑 2，其填充在該反應除去部 1 內，且由氧化鈣構成： 導入管 3，其將需要處理的廢氣導入到反應除去部 1 內：導出管 4，其由 反應除去部 l 排出己除去有害氣體成分的廢氣：以及供氧管 5，其與導入 管 3 連接 ，向反應除去部 l 供氧。
    反應除去部 1，由容器 11、以及堵塞該容器 11 的開口部的蓋 12 來構10成。容器 11，是由氧化鋁 （ alum ina）、 石英等耐蝕性材料構成的有底圓 筒狀的部件，在其底部上形成有導出管 5 的開口部，另外設有多孔板 13,以防填充在內部的廢氣處理劑 2 漏出。
    蓋 12 ，是由氧化鋁、石英等耐蝕性材料來構成的板狀的部件，相對于 容器 11以自由裝卸的方式安裝，根據需要能夠更換填充在內部的廢氣處15理劑 2。另外 ，在蓋 12 上形成有導入管 3 的開口部 。
    并且，在容器 11 內，填充有上述的粒狀的處理劑 2，但此時以使處理 劑的填充率成為 30 70 體積%的方式被填充，使得不阻礙廢氣的順暢的 流動 。
    來自半導體制造裝置 21 的廢氣，經過導入管 3，導入到反應除去部 120內，在此 ，由上述的化學反應除去有害氣體成分 ，被凈化的廢氣由泵 22吸引而從導出管 4排出到系統外部 。
    另外，在來 自半導體制造裝置 21  的廢氣中，在含有 s或者 P町等 的除去反應中需要氧的有害氣體成分的情況下，從供氧管 5 將適量的氧和 廢氣共同送入反應除去部 l內。

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