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深圳市華科智源科技有限公司


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半導體測試設備

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參   考   價: 1

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價以合同協議為準

產品型號HUSTEC-1600A-MT

品       牌其他品牌

廠商性質生產商

所  在  地深圳市

聯系方式:陳經理查看聯系方式

更新時間:2024-05-06 11:47:45瀏覽次數:123次

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經營模式:生產廠家

商鋪產品:82條

所在地區:廣東深圳市

聯系人:陳經理 (銷售)

產品簡介
產地 國產    

華科智源半導體測試設備,測試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態參數,并生產器件傳輸曲線和轉移曲線,測試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于器件設計,封裝測試,軌道交通,電動汽車 ,風力發電,變頻器,焊機等行業的IGBT來料選型和失效分析。

詳細介紹

半導體測試設備

華科智源HUSTEC-1600A-MT 半導體測試設備可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試1200A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通,電動汽車 ,風力發電,變頻器,焊機行業的IGBT來料選型和失效分析,設備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設置參數直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試;

半導體測試設備測試參數:

ICES  集電極-發射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發射極飽和電壓

ICON 通態電極電流

VGEON 通態柵極電壓

VF 二極管正向導通壓降

整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用


1) 物理規格

設備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

質量:30kg

2) 環境要求

海拔高度:海拔不超過 1000m

儲存環境:-20℃~50℃;

工作環境:15℃~40℃。

相對濕度:20%RH ~ 85%RH

大氣壓力:86Kpa106Kpa

防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害;

3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%

電網頻率:50Hz±1Hz

關鍵詞:變頻器 電路板

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