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深圳市華科智源科技有限公司
功能及主要參數: 適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數測試。
功能及主要參數:
適用碳化硅二極管、IGBT模塊/MOS管等器件的時間參數測試。
主要技術參數:
IGBT開關特性測試
開關時間測試條件
Ic:50A~1000A Vce:200V~2000V
Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可調(可選擇4檔及外接)
負 載:感性負載阻性負載可切換
電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R
IGBT開關特性測試參數
開通延遲td(on): 20nS -10uS
上升時間tr: 20nS -10uS
開通能量Eon: 0.1-1000mJ
關斷延遲時間td(off):20 nS -10uS
下降時間 tf: 20nS -10uS
關斷能量Eoff:0.1-1000mJ
二極管反向恢復特性測試
FRD測試條件:正向電流IF:50A~1000A;反向電壓 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;負載:感性負載可選
電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
FRD測試參數
反向恢復時間trr:20nS -2uS
反向恢復電荷Qc:10nC~10uC;
反向恢復電流Irm:50A~1000A
反向恢復損耗Erec:0.1mJ~1000mJ
產品優勢
國內能對二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時間參數實施測試的設備。
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