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深圳市華科智源科技有限公司


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SIC碳化硅器件參數測試儀

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參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號HUSTEC-3000

品       牌

廠商性質生產商

所  在  地

聯系方式:陳經理查看聯系方式

更新時間:2023-04-04 14:51:10瀏覽次數:225次

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經營模式:生產廠家

商鋪產品:81條

所在地區:廣東深圳市

聯系人:陳經理 (銷售)

產品簡介

功能及主要參數:  適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數測試。

詳細介紹

功能及主要參數:
  適用碳化硅二極管、IGBT模塊/MOS管等器件的時間參數測試。
  主要技術參數:
  IGBT開關特性測試
  開關時間測試條件
  Ic:50A~1000A Vce:200V~2000V
  Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可調(可選擇4檔及外接)
  負  載:感性負載阻性負載可切換
  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
  電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R
  IGBT開關特性測試參數
  開通延遲td(on): 20nS -10uS
  上升時間tr: 20nS -10uS
  開通能量Eon: 0.1-1000mJ
  關斷延遲時間td(off):20 nS -10uS
  下降時間 tf: 20nS -10uS
  關斷能量Eoff:0.1-1000mJ
  二極管反向恢復特性測試
  FRD測試條件:正向電流IF:50A~1000A;反向電壓 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;負載:感性負載可選
  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
  FRD測試參數
  反向恢復時間trr:20nS -2uS
  反向恢復電荷Qc:10nC~10uC;
  反向恢復電流Irm:50A~1000A
  反向恢復損耗Erec:0.1mJ~1000mJ
產品優勢
  國內能對二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時間參數實施測試的設備。

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