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深圳市華科智源科技有限公司
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| 產地 | 國產 | 脈寬調制范圍 | 5～400us |
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IGBT雙脈沖測試平臺
該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過特制測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試
1.1 原理簡述
雙脈沖測試平臺主要是通過特定程序控制功率元件在可控范圍內兩次開通，并測量過程中各 種動態參數，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數差異，是評估 FRD 和 IGBT 二十多種 動態參數重要測量手段。同時也是功率元件驅動及保護電路參數調整和驗證的測量平臺。
1.2 原理框圖
1.3 主要作用
1、測試對比不同 IGBT 的參數；
2、評估驅動的功能和性能；
3、獲取 IGBT 在開通、關斷過程的主要參數，以評估 Rgon 及 Rgoff 的數值是否合適；
4、開通、關斷過程是否有不合適的震蕩；
5、評估二極管的反向恢復行為和安全余量；
6、IGBT 關斷時的電壓尖峰是否合適，關斷之后是否存在不合適的震蕩；
7、評估 IGBT 并聯的均流特性；
8、測量母排和系統的雜散電感。
9、可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝；如特殊封裝可 以定制開發適配版。
電源范圍
0～1000VDC
加熱范圍
室溫～200℃
測試電流
0～2400A
負載電感
50uH\100uH\200uH\500uH （標配 2 種）
脈寬調制范圍
5～400us
脈寬顯示屏
4 寸
通過此設備與示波器連接測試項目
開通參數
關斷參數
Frd 反向恢復參數
開通可達尖峰電流 Ic-peak max
關斷可達尖峰電壓 Vce-peak max
可達反向恢復電流 IRM
開通時間 Ton
關斷時間 Toff
反向恢復損耗 Erec
開通延遲 Td-on
關斷延遲 Td-off
反向恢復時間 Trr
開通電壓變化率 dv/dt-on
關斷電壓變化率 dv/dt-off
反向恢復電荷 Qrr
開通電流變化率 di/dt-on
關斷電流變化率 di/dt-off
反向恢復峰值功耗 Prr-peak
開通電壓下降時間 tf-v-on
關斷電壓上升時間 tr-v-off
前沿電流變化率 di/dt-r
開通電流上升時間 tr-i-on
關斷電流下降時間 tf-i-off
后沿電流變化率 di/dt-f
開通損耗 Eon
Ic 拖尾電流值 It
反向恢復電壓變化率 dv/dt-rr
Ic 拖尾時間 Tt
可達反向恢復尖峰電壓 Vrr-peak
關斷損耗 Eoff
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