細胞：BCECs細胞
中文名稱：鼠腦微血管內(nèi)皮細胞
生長特性：貼壁細胞
培養(yǎng)基：DMEM-H +10%FBS(GIBCO胎牛血清)
凍存條件：50%基礎(chǔ)培養(yǎng)基、40% FBS、10% DMSO
細胞常規(guī)培養(yǎng)傳代流程( 請嚴格遵照無菌操作)
1. 吸出原培養(yǎng)瓶中的培養(yǎng)基，PBS 緩沖液潤洗細胞兩次，加 2-3 ml 0.25% yi酶進行消化細胞(注意把握消化時間，通常控制在 1-2min)
2. 鏡下觀察消化情況，在細胞邊緣縮小，貼壁松動時(不建議消化到細胞漂浮)去掉yi酶，加 6~8ml 培養(yǎng)基，輕輕吹打細胞層，盡量把細胞層吹落，吹散。
3. 取部分細胞懸液轉(zhuǎn)移到新的培養(yǎng)皿/瓶中，添加適當(dāng)?shù)呐囵B(yǎng)基，把細胞懸液打勻，于培養(yǎng)箱中培養(yǎng)。
4. 注意培養(yǎng)基 PH 值變化情況，定期換液(每周 2-3 次)，待細胞密度達到 80%以后重復(fù) 1 項操作或凍存。
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在III-V族半導(dǎo)體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、高電子遷移率、最小有效質(zhì)量和最大g因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進行自旋電子學(xué)研究與拓撲量子計算等前沿物理探索的理想材料。(人Calu-6細胞 來源：通派細胞庫 人退行性肺癌細胞)
由于InSb具有晶格常數(shù)大以及固有的n型導(dǎo)電性特征，難以找到合適襯底外延生長，通常人們采用緩沖層技術(shù)。(人kyse30細胞 來源：通派細胞庫 人食管癌細胞)
然而，晶格失配引起的位錯缺陷會沿著緩沖層向上延伸，甚至延伸至緩沖層表面，使得緩沖層表面不能形成的晶格結(jié)構(gòu)，從而影響外延的InSb薄膜晶體質(zhì)量。半個多世紀以來，高質(zhì)量InSb材料制備一直是困擾研究人員們的難題。(人KYSE-510細胞 來源：通派細胞庫 人食管癌細胞)
利用分子束外延技術(shù)，在Si襯底上生長出高質(zhì)量純相InAs納米線，然后通過控制生長溫度和束流比，創(chuàng)造性地在一維InAs納米線上生長出了二維高質(zhì)量InSb納米片。(人kyse410細胞 來源：通派細胞庫 人食管癌細胞)
這種免緩沖層技術(shù)制備出來的立式InSb納米片為純閃鋅礦單晶，結(jié)構(gòu)中觀察不到層錯及孿晶等缺陷。(人BXPC-3-RFP細胞 來源：通派細胞庫 人原位胰腺癌細胞)
其長度和寬度達到微米量級(大于10微米)、厚度可薄至10納米。將這種高質(zhì)量的二維InSb納米片制成了場效應(yīng)器件，器件具有明顯的雙極性特征，低溫下場效應(yīng)遷移率近20000 cm2 V-1 s-1。
