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行業(yè)產(chǎn)品

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北京羲和陽(yáng)光科技發(fā)展有限公司


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參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

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更新時(shí)間：2017-11-23 12:25:40瀏覽次數(shù)：476次

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經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠(chǎng)家

商鋪產(chǎn)品：40條

所在地區(qū)：北京北京市

聯(lián)系人：包經(jīng)理 （銷(xiāo)售總監(jiān)）

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

母合金
半導(dǎo)體拉晶的重要摻雜元素

詳細(xì)介紹

母合金
半導(dǎo)體拉晶的重要摻雜元素

產(chǎn)品特點(diǎn)
進(jìn)口12N電子極原生多晶硅，配摻高純度硼粉（7N）級(jí)。目前廣泛應(yīng)用在拉單晶上的為硅硼負(fù)三合金。

母合金摻雜計(jì)算方法
電阻率P的單晶，它的頭部對(duì)應(yīng)的的雜質(zhì)濃度為C頭，多晶硅原料的重量為W，的雜質(zhì)濃度為C母，應(yīng)摻重量為M
應(yīng)摻重量為M =W*C頭/（K*C母—C頭），其中K為摻雜劑原素在硅中的平衡分凝系數(shù)。

參數(shù)
■ 硅單晶P型10的-3次方
■ 電阻率:0.007-0.009Ω/cm2
■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
硼含量（atom/cm3） 碳含量（atom/cm3） 氧含量（atom/cm3）
1.13*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18

■ 硅單晶P型10的-3次方
■ 電阻率:0.003-0.004Ω/cm2
■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
硼含量（atom/cm3） 碳含量（atom/cm3） 氧含量（atom/cm3）
3.04E+19 <5E+16 <1E+18

■ 硅單晶N型10的-3次方
■ 電阻率:0.002-0.005Ω/cm2
■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
磷含量（atom/cm3） 碳含量（atom/cm3） 氧含量（atom/cm3）
2.24*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18

 

關(guān)鍵詞：硅原料

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