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硅片紅外探傷儀

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更新時間：2022-08-03 13:42:16瀏覽次數：757次

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北京羲和陽光科技發展有限公司

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產品簡介

太陽能多晶硅晶片和單晶硅晶片的生產過程涉及到機械，濕化學，熱學和電子物理過程，從硅碇上切割下的晶片，進行蝕刻，摻雜。所有這些工藝過程，以及工藝間的晶片搬運，都會引入應力，從而導致晶片的缺陷。例如微裂紋(包括硅片表層內部的微裂紋)、針孔、雜質、污垢、內部氣泡等。在制作電池片以前，必須對晶片進行檢測分級，穩定可靠的識別缺陷

詳細介紹

硅片紅外探傷系統
太陽能多晶硅晶片和單晶硅晶片的生產過程涉及到機械，濕化學，熱學和電子物理過程，從硅碇上切割下的晶片，進行蝕刻，摻雜。所有這些工藝過程，以及工藝間的晶片搬運，都會引入應力，從而導致晶片的缺陷。例如微裂紋（包括硅片表層內部的微裂紋）、針孔、雜質、污垢、內部氣泡等。在制作電池片以前，必須對晶片進行檢測分級，穩定可靠的識別缺陷。右圖的樣品顯示的微裂紋，由于機械拉伸引起。這類缺陷非常嚴重，因為裂紋就是潛在的斷裂點。

晶片檢測的在線和離線解決方案
本晶片檢測系統依據太陽能光伏工業需求進行設計，可集成到生產線上實現在線檢測，也可構建獨立離線式檢測系統對一批晶片的缺陷進行檢測。這兩種情況都不需要生產線停頓，都可在生產運轉中實現測試。為了提供精確、穩定的檢測結果，系統利用高分辨率的行掃描攝像頭，利用增強型近紅外光譜，并配備近紅外光學優化透鏡，利用LED光源（避免鹵素光源照明的缺點），獲取穩定、高分辨率圖象，實現精確檢測。強大功能的缺陷分析處理軟件，包括信息預處理，濾波算法，以及高效的圖象數據分析處理算法分辨出灰度圖象非常近似的晶格和微裂紋。避免良品誤判，也避免缺陷晶片混入到下一步工藝— 電池片的生產中。增加良率，確保有效的質量控制，降低了成本，從而實現了生產效率的提高。

技術參數
晶片規格 5〞~6〞/100um~250um厚度
數據采集＜=1s （圖象記錄時間）
測試節拍＜=1.2 s （連續兩片晶圓間的間隔）
測試周期＜=2s（從開始檢測到檢測結果顯示）
缺陷類型微裂紋，大裂紋，針孔，雜質
光學裝置
攝像頭高分辨率線陣攝像頭，4096象素
分辨率 40um/象素
照明 LED條形光源（近紅外光）
透鏡高分辨率透鏡
電子設備
-PC 19〞工業PC，WinXP操作系統，19〞顯示器
-UPS電源 PC和攝像頭使用不間斷電源（UPS）
接口數字I/0接口，24V光耦合信號
網絡 10/100/1000 Mbit,RJ 45 連接頭
電源 115~230VAC/50-60Hz/＜1200W
尺寸
測量傳感器部分 400mm×500mm×500mm（寬長高），或采用客戶定制尺寸
照明部分 400 mm×400mm×200mm（寬長高），或采用客戶定制尺寸