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東莞市反滲透環保科技有限公司
去離子超純水設備 概述:去離子超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴格,達到PP級,產水水質要求在18.2MΩ*cm(25℃)以上。去離子超純水設備工藝流程:①反滲透純水設備RO反滲透膜的工作原理是對水施加一定的壓力,使水分子和離子態的礦物質元素通過一層反滲透膜,而溶解在水中的絕大部分無機鹽(包括重金屬)。
去離子超純水設備概述:
去離子超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴格,達到PPb級,產水水質要求在18.2MΩ*cm(25℃)以上。
去離子超純水設備優點:
半導體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水,基板晶圓片檢測清洗用水,中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗,后段檢測封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長用水,中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水,后段檢測封裝用水。同時,半導體行業對TOC的要求較高。
* 有豐富實戰經驗的純水處理工藝設計,設備制造,工程安裝團隊;
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