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深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司
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產(chǎn)品型號(hào)DSM200GB120DN2
品 牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地北京市
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更新時(shí)間:2016-11-11 10:42:09瀏覽次數(shù):213次
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商鋪產(chǎn)品:987條
所在地區(qū):廣東深圳市
聯(lián)系人:曾先生 (銷(xiāo)售技術(shù)經(jīng)理)
艾賽斯可控硅、晶閘管、IGBT模塊,IXYS可控硅、晶閘管、IGBT模塊。
DSM200GB120DN2中文資料,技術(shù)參數(shù),中文資料, PDF datasheet,圖片。
DSM200GB120DN2品牌:IXYS艾賽斯;
DSM200GB120DN2代理怎么樣?價(jià)格好嗎?
可控硅IGBT模塊是由德國(guó)IXYS出品,采用*工藝;
很多采購(gòu)*次接觸此類(lèi)產(chǎn)品,無(wú)從下手,在此建議一定不要只看價(jià)格,性能質(zhì)量穩(wěn)定也非常重要。
深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司:一家專(zhuān)業(yè)做進(jìn)口 * 現(xiàn)貨 批發(fā)零售的企業(yè),
方法一
IGBT組件檢測(cè)方法
IGBT正常工作時(shí),柵極與發(fā)射極之間的電壓約為9V發(fā)射極為基準(zhǔn)。若在路測(cè)量,電路正常工作時(shí):正電壓約為13V負(fù)電壓約為-9V的166µs半周期方波
應(yīng)側(cè)阻值 萬(wàn)用表接法 正常 異常
C—E之間 C接表正,E接表負(fù) 數(shù)百歐 短路,開(kāi)路
C接表負(fù),E接表正 約16KΩ 短路,幾百歐
C—B之間 C接表正,B接表負(fù) 無(wú)窮大 短路,幾百歐
C接表負(fù),B接表正 無(wú)窮大 短路,幾百歐
B—E之間 B接表正,E接表負(fù) 無(wú)窮大 短路,幾百歐
B接表負(fù),E接表正 無(wú)窮大 短路,幾百歐
當(dāng)撐握了以上2種方法判斷后再確定是否要采購(gòu)。
相關(guān)導(dǎo)讀:
(5) 空載電流的檢測(cè)。
a. 直流測(cè)量法。將次級(jí)所有繞組全部開(kāi)路,把萬(wàn)用表置于交流電流擋(500mA,串入初級(jí)繞阻。當(dāng)初級(jí)繞組的插頭插入220V交流市電時(shí),萬(wàn)用表所指示的便是空載電流值。此值不應(yīng)大于變壓器滿(mǎn)載電流的10%~20%。一般常見(jiàn)電子設(shè)備電源變壓器的正常空載電流應(yīng)在100mA左右。如果超出太多,則說(shuō)明變壓器有短路性故障。
b. 間接測(cè)量法。在變壓器的初級(jí)繞組中串聯(lián)一個(gè)10/5W的電阻,初級(jí)仍全部空載。把萬(wàn)用表?yè)苤两涣麟妷簱酢<与姾螅脙杀砉P測(cè)出電阻R兩端的電壓U,然后用歐姆定律算出空載電流I空,即I空=U/R。
(6) 空載電壓的檢測(cè)。將電源變壓器的初級(jí)接200V市電,用萬(wàn)用表交流電壓接保次測(cè)出各繞組的空載電壓值(U21、U22、U23、U24)應(yīng)符合要求值,允許誤差范圍一般為:高壓繞阻≤±10%,低壓繞組5%,帶中心抽頭的兩組對(duì)稱(chēng)繞組的電壓差應(yīng)2%。
(7) 一般小功率電源變壓器允許溫升為40℃~50℃,如果所用絕緣材料質(zhì)量較好,允許溫升還可提高。
(8) 檢測(cè)判別各繞組的同名端。在使用電源變壓器時(shí),有時(shí)為了得到所需的次級(jí)電壓,可將兩個(gè)或多個(gè)次級(jí)繞組串聯(lián)起來(lái)使用。采用串聯(lián)法使用電源變壓器時(shí),參加串聯(lián)的各繞組的同名端必須正確連接,不能搞錯(cuò)。否則,變壓器不能正常工作。電源變壓器短路性故障的綜合檢測(cè)差別。電源變壓器發(fā)生短路性故障后的主要癥狀是發(fā)熱嚴(yán)重和次級(jí)繞組輸出電壓失常。通常,線圈內(nèi)部匝間短路點(diǎn)越多,短路電流就越大,而變壓器發(fā)熱就越嚴(yán)重。檢測(cè)判斷電源變壓器是否有短路性故障的簡(jiǎn)單方法是測(cè)量空載電流(測(cè)試方法前面已經(jīng)介紹)。存在短路故障的變壓器,其空載電流值將遠(yuǎn)大于滿(mǎn)載電流的1%。當(dāng)短路嚴(yán)重時(shí),變壓器在空載加電后幾十秒鐘之內(nèi)便會(huì)迅速發(fā)熱,用手觸摸鐵心會(huì)有燙手的感覺(jué)。此時(shí)不用測(cè)量空載電流便可斷定變壓器有短路點(diǎn)存在。
艾賽斯可控硅、晶閘管、IGBT模塊,IXYS可控硅、晶閘管、IGBT模塊。
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