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深圳市邁瑞施電子技術有限公司
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DSEI12X101-12A品牌：IXYS艾賽斯；
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可控硅IGBT模塊是由德國IXYS出品，采用*工藝；
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方法一
IGBT組件檢測方法
IGBT正常工作時，柵極與發射極之間的電壓約為9V發射極為基準。若在路測量，電路正常工作時：正電壓約為13V負電壓約為-9V的166µs半周期方波
應側阻值 萬用表接法 正常 異常
C—E之間 C接表正，E接表負 數百歐 短路，開路
C接表負，E接表正 約16KΩ 短路，幾百歐
C—B之間 C接表正，B接表負 無窮大 短路，幾百歐
C接表負，B接表正 無窮大 短路，幾百歐
B—E之間 B接表正，E接表負 無窮大 短路，幾百歐
B接表負，E接表正 無窮大 短路，幾百歐
當撐握了以上2種方法判斷后再確定是否要采購。
相關導讀：
3)調低低電壓保護值，延長控制設備的加速時間
當前很多變頻器在供電電源降到其額定值的90%左右時，變頻器即可發生跳停，因此，為提升變頻器抗電壓的功能，可以根據其說明書適當調低變頻器低電壓保護值，同時，變頻器控制的電氣設備加速時間短，加速度很高，電源電壓會被很快拉低，導致變頻器欠電壓而跳停，因此，可根據生產工藝需求，適當延長變頻器所控制設備的加速時間，降低電網出現降壓對變頻器的影響，如果使用了PID技術控制器，注意降低系統響應，減P加I，延長濾波時間。
總之，變頻器在調試與使用過程中會遇到各類不同故障，其中由于電網電壓波動對其影響zui大，因此，在裝置變頻器時，應該根據工藝流程性質，結合變頻器本身參數以及控制系統狀況，采取相應的措施來預防過電壓或者欠電壓對其的危害，才能預防電壓波動變頻器內部電路損壞，保障變頻器安全穩定工作。
艾賽斯可控硅、晶閘管、IGBT模塊，IXYS可控硅、晶閘管、IGBT模塊。
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