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深圳市邁瑞施電子技術有限公司
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DSEI12-06A品牌:IXYS艾賽斯;
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可控硅IGBT模塊是由德國IXYS出品,采用*工藝;
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方法一
IGBT組件檢測方法
IGBT正常工作時,柵極與發射極之間的電壓約為9V發射極為基準。若在路測量,電路正常工作時:正電壓約為13V負電壓約為-9V的166µs半周期方波
應側阻值 萬用表接法 正常 異常
C—E之間 C接表正,E接表負 數百歐 短路,開路
C接表負,E接表正 約16KΩ 短路,幾百歐
C—B之間 C接表正,B接表負 無窮大 短路,幾百歐
C接表負,B接表正 無窮大 短路,幾百歐
B—E之間 B接表正,E接表負 無窮大 短路,幾百歐
B接表負,E接表正 無窮大 短路,幾百歐
當撐握了以上2種方法判斷后再確定是否要采購。
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3)增加泄放電阻
泄放電阻就是在儲能元件兩端并聯的電阻,給儲能元件提供一個消耗能量的通路,使電路安全。這個電阻叫泄放電阻。可以是二極管,如電感(繼電器線包)并聯的二極管。當前功率較小變頻器一般在制造時內部中間直流回路都設計了控制單元與泄放電阻,而大功率的變頻器為給其中間直流回路能夠很好的釋放多余的能量提供通道,應該根據工藝需要增加泄放電阻,從而預防過電壓。
4)增加逆變電路
逆變電路基本作用是在控制電路的控制下,將中間的直流電路輸出的直流電源轉換為頻率和電壓都任意可調的交流電源,在變頻器的輸入側增加逆變電路,可以使變頻器中間直流回路多余的能量回饋給電網。但造價較高,技術要求復雜。
5)在中間直流回路上加合適電容
根據變頻器的容量以及其中間直流回路的電流電壓的估算,可以在其中間直流回路上增加合適的電容,此電容能夠穩定回路電壓,提升回路承受過電壓的能力,也可在設計階段選用較大容量的變頻器來有效防治過電壓的影響。
艾賽斯可控硅、晶閘管、IGBT模塊,IXYS可控硅、晶閘管、IGBT模塊。
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