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DSEI120-12A

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產品型號DSEI120-12A

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更新時間：2016-11-01 10:18:26瀏覽次數(shù)：89次

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深圳市邁瑞施電子技術有限公司

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產品簡介

DSEI120-12A中文資料，技術參數(shù)，中文資料， PDF datasheet,圖片。

詳細介紹

DSEI120-12A品牌：IXYS艾賽斯；

DSEI120-12A代理哪家好？質量怎么樣？

可控硅IGBT模塊是由德國IXYS出品，采用*工藝；

深圳市邁瑞施電子技術有限公司：一家專業(yè)做進口 * 現(xiàn)貨批發(fā)零售的企業(yè)，

更詳細的內容敬請登錄公司了解。www.mrs2003。。ｃｏｍ

方法一

IGBT組件檢測方法

IGBT正常工作時，柵極與發(fā)射極之間的電壓約為9V發(fā)射極為基準。若在路測量，電路正常工作時：正電壓約為13V負電壓約為-9V的166µs半周期方波

應側阻值萬用表接法正常異常

C—E之間 C接表正，E接表負數(shù)百歐短路，開路

C接表負，E接表正約16KΩ 短路，幾百歐

C—B之間 C接表正，B接表負無窮大短路，幾百歐

C接表負，B接表正無窮大短路，幾百歐

B—E之間 B接表正，E接表負無窮大短路，幾百歐

B接表負，E接表正無窮大短路，幾百歐

當撐握了以上2種方法判斷后再確定是否要采購。

相關導讀：

1.過電壓故障解決措施

解決電網過電壓對變頻器的影響，主要思路是對變頻器中間直流回路多余能量進行有效及時處理，同時要預防或者降低多余能量饋送到變頻器的中間直流回路，讓電網產生的過電壓處于一定的允許值內。

1)裝設浪涌吸收裝置或者串聯(lián)電抗器作為吸收裝置

電網的沖擊過電壓、雷電導致過電壓以及補償電容在合閘或斷開時是造成變頻器輸入端過電壓的主要原因。對于此類隱患，可以在變頻器裝設浪涌吸收裝置或者串聯(lián)電抗器預防。浪涌吸收裝置就是在連接逆變器和電動機的U、V、W相的各動力線間、以及這些動力線和地之間，分別連接半導體浪涌吸收元件。這些半導體浪涌吸收元件在兩端子間達到規(guī)定的電壓以上就流過電流并箝位電壓的特性。串聯(lián)電抗器能夠降低電容器組的涌流倍數(shù)和涌流頻率，提高短路阻抗，減小短路容量，降低短路電流，減小操作電容器組引起的過電壓幅值，避免電網過電壓保護等作用，是抑制過電壓有效方法。

2)調整變頻器已設定的參數(shù)

如果工藝流程中對負載減速時間不限定，在設置變頻器減速時間參數(shù)時，以不引起中間回路過電壓為限為條件設定，不能太短，避免出現(xiàn)負載動能釋放太快情況，尤其是變頻器所控制負載慣性較大的設備，減速參數(shù)要適當增加;如果生產工藝流程對負載減速時間有一定的要求，為預防變頻器在限定時間內出現(xiàn)過電壓跳停，要設定變頻器失速自整定功能，也可設定變頻器的頻率值，通過減緩頻率降低所控制設備的轉速。

艾賽斯可控硅、晶閘管、IGBT模塊，IXYS可控硅、晶閘管、IGBT模塊。

中文資料，技術參數(shù)，中文資料， PDF datasheet,圖片。