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北京維意真空技術應用有限責任公司
團簇式PECVD
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該系列PECVD系統具有固態等離子源、分開式反應氣體進氣系統,動態襯底溫控,全面控制真空系統,采用集中現場控制總線技術的“值守精靈"控制軟件,以及友好用戶操作界面來操作。適用于室溫至1400℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積,同時可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積
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該系列PECVD系統具有固態等離子源、分開式反應氣體進氣系統,動態襯底溫控,全面控制真空系統,采用集中現場控制總線技術的“值守精靈”控制軟件,以及友好用戶操作界面來操作。適用于室溫至1400℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積,同時可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態或氣態源沉積其它材料,尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
清洗鍍膜一氣呵成,杜絕二次污染;上開啟結構,式樣觀察方便;觸屏人機對話整體性操作,安全可靠;;產品采用全自動控制方式,觸摸屏,數字化顯示;真空系統、工作壓強、電源系統及自動匹配、工藝氣體流量、加熱系統、運動系統、工藝過程、系統監控及數據采集等。
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