GSA、GSHA型帶起吊裝置中試磁力高壓反應釜是威海鑫泰化工機械有限公司開發生產的具有水平的新一代反應裝置。我廠近年來采用了技術，在磁力攪拌反應釜,生產型攪拌反應釜,攪拌反應罐等反應釜設計加工方面進行了一系列的改進，其研究的許多成果獲得科研單位、生產廠家的好評。

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一般的干法線所用溶劑含7%的DMF和3%的甲苯、丁酮等，由于烘干溫度接近DMF的沸點(152.8℃)，致使DMF大量揮發，所以干法線廢氣以高濃度DMF有機廢氣為主，廢氣溫度一般低于75cC。一條普通干法線的DMF廢氣風量達25m3/h。干法生產線所產生的VOCs廢氣是合成革企業VOCs廢氣的主要部分，占整個合成革生產線廢氣量的9%以上。合成革后處理工序中采用的Pu樹脂含有DMF等有機物，印刷、噴涂、燙平等工序中有機溶劑易揮發，但根據現場調查，企業一般不對這些工序揮發的有機溶劑做收集處理，造成VOCs廢氣無組織排放。

二、反應釜優點

釜蓋可升降，取料方便。釜內清洗方便快捷。

采用環形稀土永磁耦合驅動器，具有靜密封、無泄漏的特點。

適合攪拌力矩大的攪拌。采用自潤滑耐磨軸套，適合于各種介質的攪拌。

加熱方式：干式電加熱、導熱油加熱、夾套加熱。

溫度控制：采用PID自動溫度控制儀表，控溫、控壓。

出料方式：上出料、下出料。

攪拌槳采用推進式攪拌漿，運轉平穩、噪音小、操作方便。變頻器無級調速。

釜體材料：1Cr18Ni9Ti不銹鋼、316L不銹鋼、鈦材（TA2）、鎳材、鉭材、鋯材、哈氏合金、內襯聚四氟乙烯等。

一般超濾膜系統維護性清洗及化學清洗會根據系統時間設定、透膜壓差及系統PLC參數設定來自動完成。納濾膜化學清洗需要手動完成，化學清洗藥劑要根據膜堵塞情況及污染種類確定。當膜元件經過多次在線化學清洗無法恢復預定性能后，就需要對膜元件進行離線化學清洗。離線化學清洗一般根據原水全分析報告、膜性能測試等對膜污染程度、主要污染類型進行分析后綜合確定，一般由專業公司進行，清洗完成后要對清洗效果進行監測及驗收。語1）超濾、納濾膜處理工藝對生化出水進行深度處理，可有效去除其中含有的有機物、氨氮等污染物，并使硬度、色度、濁度大大降低，使出水達到循環水補充水水質標準。

三、主要部件特點

（一）磁力耦合攪拌器

該設備的核心部位是強磁力耦合攪拌器，是選用永磁材料進行強磁力耦合攪拌的傳動裝置。解決了機械密封和填料密封的失效泄漏問題。內外磁鋼制成兩個強大的永磁體，相互自行定位作用于軸向旋轉牽引上電機減速機帶動外磁鋼，外磁鋼強磁力透過不銹鋼制成的密封罩體，強磁力自行定位耦合內磁鋼，內磁鋼帶動軸與攪拌漿來完成靜密封攪拌過程，密封罩體與釜蓋、釜體、緊固聯接形成靜密封腔，使反應介質*處于靜密封狀態中，無任何泄漏、污染和人身危險。限度的提高產品轉化率，節能降耗是我們的共同追求。

（二）優質耐高溫高壓腐蝕軸承

具有靜密封、無泄漏、無噪音、無污染、運轉平穩、操作簡單、堅固耐用、結構緊湊的特點，*的軸套/軸承設計耐高溫高壓、耐腐蝕耐磨擦、避免了二次污染從而保證了物料純度，延長了軸承的使用壽命。

（三）非標定制攪拌漿

可配制非標攪拌形式（推進式、折頁漿式、錨板式、平渦輪式、螺距渦輪式、刮板式、曲頁渦輪式、雙螺旋帶式、組合式等）、壓力顯示、加料罐、導管、下放料、連續反應，改變加熱方式為—油浴、水浴、蒸汽、熔鹽，對控制溫度有較高要求或者接入電腦采取數據的，可以配制高精度數顯溫控儀，控制精度可達到±0.2℃。

（四）主體材料選擇

主體材料選用：0Cr18Ni9（304）、1Cr18Ni9Ti（321）、00Cr17Ni14Mo2（316L/鉬二鈦）、鈦材、哈氏合金、因考乃爾合金、鎳材、鋯材、鉭材、碳鋼等。為節省資源降低設備的資金投入，用該材料與碳鋼復合的復合板，成為制造大中型、高溫高壓、耐腐蝕設備的主導體系。

與離子交換法相比，電滲析不需要再生過程，因而沒有再生廢液的排放問題。因而不僅不會污染待處理水，對環境的污染也少。電滲析過程在常溫常壓下進行，與反滲透相比，電滲析的的工作壓力只有.2MPa，因而不需使用高壓泵和壓力容器。電滲析在廢水處理中的應用電滲析可用于深度處理工藝，以去除水中的鹽類，實現廢水的回用。為防止二沉池出水中的SS、有機物、膠體及其他雜質對膜的損害，在進入電滲析設備前必須通過過濾或活性炭吸附等預處理。

生產工藝：1、罐體碰焊繞帶式纏繞纏繞制作

2、外部焊接制作

3、繞帶纏繞制作

4、管口安裝制作常用材質：聚丙烯、PPH、玻璃鋼等。

活性炭電極在Li2SO4（pH=6.5）與BeSO4（pH=2.1）電解液中不同電位范圍下測得的循環伏安（CV）曲線。圖中紅色虛線標示了HER反應的電位。當電極電位低于紅色虛線后，CV曲線出現明顯的氫離子脫附峰，使得電極偏離電容行為。另外，當pH減小時HER電位相應朝正電位方向移動。圖片來自文獻。氧化還原活性物質添加劑向電解質中加入一對氧化還原反應物質是另一種擴展電位窗口的方法。使用這種方法的前提條件是：加入的氧化還原反應物質必須為水溶性且具有高溶解度，且不與電解質發生反應；加入的氧化還原反應物質必須在至少一個電極上發生反應；加入的氧化還原反應物質需具有較快的反應速率，不能過大地制約超級電容器的快速充放電的能力；加入的氧化還原反應物質的反應電位需接近水溶液的HER和/或OER電位，并能借助自身的快速反應動力學抑止HER和/或OER的發生。