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武漢三工光電設(shè)備制造有限公司


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太陽能電池EL檢測(cè)機(jī)、電致發(fā)光測(cè)試儀

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產(chǎn)品型號(hào)EL140S-M型

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

聯(lián)系方式:陶小姐查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2018-05-16 16:25:17瀏覽次數(shù):735次

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經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:92條

所在地區(qū):湖北武漢市

聯(lián)系人:陶小姐

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

太陽能電池EL檢測(cè)機(jī)用于檢測(cè)太陽能電池組件有無隱裂、碎片、虛焊、斷柵及不同轉(zhuǎn)換效率單片電池異常現(xiàn)象

詳細(xì)介紹

 

EL140S-M型太陽能組件EL缺陷測(cè)試儀
設(shè)備特點(diǎn):
1、采用進(jìn)口制冷型紅外相機(jī),保證圖像采集清晰準(zhǔn)確。
2、采用*的鏡面發(fā)射設(shè)計(jì),有效降低光程,縮小設(shè)備體積。
3氣動(dòng)控制設(shè)備操作,加速測(cè)試流程。
4、封閉式光路設(shè)計(jì),有效適應(yīng)不同工作環(huán)境
設(shè)備主要參數(shù)
型號(hào)規(guī)格                                  EL140S-M
有效測(cè)試面積                            1200mm X 2100mm
分辨率                                     140萬像素,600萬像素,1200萬像素或1600萬像素
靈敏度                                     可檢測(cè)出裂紋寬度小于0.2μm
測(cè)試時(shí)間                                  1s60s自由設(shè)定
測(cè)試方式                                  無接觸式
電源參數(shù)                                  單相220V 10A zui大加載電壓80V,zui大加載電流 10A
配置                                         測(cè)試機(jī)臺(tái)(含紅外成像儀)、電腦、專業(yè)軟件
應(yīng)用領(lǐng)域:
該設(shè)備用于檢測(cè)太陽能電池組件有無隱裂、碎片、虛焊、斷柵及不同轉(zhuǎn)換效率單片電池異常現(xiàn)象。
客戶價(jià)值:
1、設(shè)備穩(wěn)定、故障率小。
2測(cè)試精確圖像清晰,能有效反映被測(cè)組件的各類型缺陷。
3、測(cè)試時(shí)間短,有效提升測(cè)試新效率。
口號(hào):的設(shè)計(jì)、*的選型成就EL測(cè)試的火眼金睛。

:陶女士 -8013

:

公司:http://www.sunic.com.cn

測(cè)試分選:http://www.sunic.org
 

 

一、EL的測(cè)試原理
晶體硅太陽電池外加正向偏置電壓,電源向太陽電池注入大量非平衡載流子,電致發(fā)光依靠從擴(kuò)散區(qū)注入的大量非平衡載流子不斷地復(fù)合發(fā)光,放出光子;再利用CCD相機(jī)捕捉到這些光子,通過計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理后顯示出來,整個(gè)的測(cè)試過程是在暗室中進(jìn)行,通過分析采集的圖像特種就能分辨出電池片和組件的潛在缺陷。
二、EL圖像分析
1.隱裂
材料的脆度較大,因此在電池生產(chǎn)強(qiáng)度決定于正向注入電流密度和少子擴(kuò)散長(zhǎng)度過程中,很容易產(chǎn)生裂片,裂片分兩種,一種是顯裂,另一種是隱裂。前者是肉眼可直接觀察到,但后者則不行。后者在組件的制作過程中更容易產(chǎn)生碎片等問題,影響產(chǎn)能。通過EL圖就可以觀測(cè)到。
2.斷柵
印刷不良導(dǎo)致的正面銀柵線斷開,EL圖中顯示為黑線狀。這是因?yàn)闁啪€斷掉后,從busbar上注入的電流在斷柵附近的電流密度較小,致EL發(fā)光強(qiáng)度下降。
3.燒結(jié)缺陷
一般而言,燒結(jié)參數(shù)沒有優(yōu)化或設(shè)備存在問題時(shí),EL圖上會(huì)顯示網(wǎng)紋印。采取頂針式或斜坡式的網(wǎng)帶則可有效消除網(wǎng)帶問題。
4."黑心"
直拉單晶硅拉棒系統(tǒng)中的熱量傳輸過程對(duì)晶體缺陷的形成與生長(zhǎng)起著決定性的作用。提高晶體的溫度梯度能提高晶體的生長(zhǎng)速率但過大的熱應(yīng)力極易產(chǎn)生位錯(cuò)。 在黑心片的EL圖中可以清楚地看到清晰的旋渦缺陷它們是點(diǎn)缺陷的聚集產(chǎn)生于硅棒生長(zhǎng)時(shí)期。此種材料缺陷勢(shì)必導(dǎo)致硅的非平衡少數(shù)載流子濃度降低,降低該區(qū)域的EL發(fā)光強(qiáng)度。
5."漏電"問題
在電池正面銀漿印刷時(shí),由于硅片表面存在劃傷,漿料進(jìn)入裂縫的pn結(jié)位置,分選的IV測(cè)試加12V反壓時(shí),直接導(dǎo)致正面pn結(jié)燒穿短路。因此,EL測(cè)試時(shí),該區(qū)域顯示為黑色。

關(guān)鍵詞:成像儀 電池
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