介紹了電力電子器件和變頻技術的發展過程，直流高壓發生器以及變頻技術在家用電器的應用,分析了變頻技術的應用也帶來了諧波、電磁干擾和電源系統功率因數下降等問題。提出了相關的諧波抑制方法及提高電源系統功率因數的措施。關鍵詞：電力電子器件；變頻技術；諧波；功率因數 引言 　　隨著電力電子、計算機技術的迅速發展，直流高壓發生器交流調速取代直流調速已成為發展趨勢。變頻調速以其優異的調速和啟、制動性能被國內外*為是zui有發展前途的調速方式。變頻技術是交流調速的核心技術，電力電子和計算機技術又是變頻技術的核心，而電力電子器件是電力電子技術的基礎。電力電子技術是近幾年迅速發展的一直流高壓發生器種*，廣泛應用于機電一體化、電機傳動、等領域，現已成為各國競相發展的一種*。專家預言，在21世紀高度發展的自動控制領域內，計算機技術與電力電子技術是兩項zui重要的技術。 一、電力電子器件的發展過程 　　上世紀50年代末晶閘管在美國問世，標志著電力電子技術就此誕生。*代電力電子器件主要是可控硅整流器（SCR），我國70年代將其列為節能技術在全國推廣。然而，SCR畢竟是一種只能控制其導通而不能控制關斷的半控型開關器件，在交流直流高壓發生器傳動和變頻電源的應用中受到限制。70年代以后陸續發明的功率晶體管（GTR）、門極可關斷晶閘管（GTO）、功率MOS場效應管（Power MOSFET）、絕緣柵晶體管（IGBT）、靜電感應晶體管（SIT）和靜電感應晶閘管（SITH）等，它們的共同特點是既控制其導通，又能控制其關斷，是全控型開關器件，由于不需要換流電路，故體積、重量較之SCR有大幅度下降。當前，IGBT以其優異的特性已成為主流器件，容量大的GTO也有一定地位。 　　許多國家都在努力開發大容量器件，國外已生產6000V的IGBT。 IEGT（injection enhanced gate thyristor）是一種將IGBT和GTO的優點結合起來的新型器件，已有 1000A/4500V的樣品問世。IGCT（integrated gate eommutated thyristor）在GTO基礎上采用緩沖層和透明發射極，它開通時相當于晶閘管，關斷時相當于晶體管，從而有效地協調了通態電直流高壓發生器壓和阻斷電壓的矛盾，工作頻率可達幾千赫茲[2][3]。瑞士ABB公司已經推出的IGCT可達4500一 6000V，3