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導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法)DRE-2C

導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法)DRE-2C
參考價(jià) 39000
訂貨量 1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市

更新時(shí)間:2023-09-19 09:21:11瀏覽次數(shù):924

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導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法)DRE-2C
DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀采用瞬態(tài)平面熱源法,主要測(cè)量固體、粉末、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)。本儀器基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術(shù),用Hot Disk作為探頭的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定儀。
Hot Disk法的優(yōu)點(diǎn)有:
(1)直接測(cè)量熱傳播,可以節(jié)約大量的時(shí)間;
(2)不會(huì)和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響;
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導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法)DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法)DRE-2C


DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法)
DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀采用瞬態(tài)平面熱源法,主要測(cè)量固體、粉末、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)。本儀器基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術(shù),用Hot Disk作為探頭的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定儀。
Hot Disk法的優(yōu)點(diǎn)有:
(1)直接測(cè)量熱傳播,可以節(jié)約大量的時(shí)間;
(2)不會(huì)和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響;
(3)無(wú)須特別的樣品制備,只需相對(duì)平整的樣品表面。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定范圍:0.0001—100W/mk,分辨率:0.0001 W/(m·K);
2、測(cè)量時(shí)間:1-600秒,
3、測(cè)量相對(duì)誤差:≤3%;重復(fù)性誤差:≤ 3%;
4、溫度范圍:標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量:室溫,可根據(jù)客戶(hù)要求選配各種溫度段的測(cè)試溫度,如室溫~150℃選配恒溫實(shí)驗(yàn)箱,-40℃~150℃選配高低溫實(shí)驗(yàn)箱等,費(fèi)用另計(jì);
5、樣品尺寸:樣品尺寸:不小于30*30*7.5mm;單層不夠的可多層疊加檢測(cè),相對(duì)平整的樣品表面,粉體材料可用直接插入探頭檢測(cè);
6、儀器參考標(biāo)準(zhǔn):ISO 22007-2008及GB/T32064-2015建筑用材料導(dǎo)熱系數(shù)和熱擴(kuò)散系數(shù)瞬態(tài)平面熱源測(cè)試法.
7、操作方便,測(cè)試速快,僅需將測(cè)試探頭夾在兩塊試樣塊中間,通過(guò)簡(jiǎn)單的軟件點(diǎn)擊操作即能獲得被測(cè)試樣的導(dǎo)熱系數(shù)。
8、電源:電壓220V;頻率50Hz;功率<500W,
9、通訊接口:USB接口。
探頭技術(shù)指標(biāo):
1. 加熱材料:金屬鎳;
2. 使用溫度:-50~150℃;
3. 大功率:20w;
4. 大電壓:20V;
5. 大電流:1A;
6. 電阻:10Ω左右,依探頭上標(biāo)注阻值為準(zhǔn);
7. 鎳絲規(guī)格:厚度0.01mm,熱絲寬度:0.35±0.03mm;熱絲間距:0.35±0.03mm ;
8. 保護(hù)層材料:聚酰亞胺薄膜(Kapton);單層厚度:0.06mm
9. 探頭直徑:7.5mm或15mm,兩種規(guī)格任選其一;
10. 探頭總厚度(包括粘結(jié)層厚度)0.07±0.02mm。
儀器配置:含DRE-2C測(cè)試主機(jī)1臺(tái),測(cè)試探頭1個(gè)(兩種規(guī)格任選其一),測(cè)試軟件1套,通訊接口及數(shù)據(jù)線1套,樣品夾具1個(gè),需方自備電腦,如需選配恒溫裝置,費(fèi)用另計(jì)。中西集團(tuán)
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