半導體芯片制造商聯華電子（UnitedMicroelectronicsCorp，UMC）本周三正式宣布，該公司已經在45納米SRAM產品上正式驗證了其高K金屬閘極（High-KMetalGate，HKMG）技術，這代表著聯電在芯片制造工藝上的一個重大里程碑。據透露，聯電將會在下一代32/28納米制程上運用高K金屬閘極技術，聯電新一代的32/28納米制程預計將于2010年正式服役。
聯電*技術研發部門副總裁S.C.Chien表示，“聯電正在平穩發展自己的高K金屬閘極技術，并且正在朝著32/28納米試生產的方向發展，未來我們的客戶將可以享受到高K金屬閘極技術所帶來的性能優勢。盡管目前經濟前景并不透明，但是聯電仍將繼續全速朝向我們的技術研發方向努力。憑借我們zui近在28納米SRAM芯片上所取得的進展，再配合的高K金屬閘極制程材料保證，相信當我們的32/28納米制程正式服役后將可以為客戶提供一個強勁的技術平臺方案。”
2008年10月份，聯電生產出了晶圓制造業*塊28納米SRAM芯片，該芯片基于聯電低漏電（low-leakage，LL）制程，同時利用了*的雙重曝影（
double-patterning）浸潤式微影技術與應變硅（strainedsilicon）技術。
聯電在32/28納米制程上實際上是為自己上了一個雙保險，其32/28納米制程面向不同的市場應用將會推出不同的解決方案。其中，在便攜領域聯電將會為其LL低漏電制程采用傳統的硅閘極/氮氧化硅閘極氧化技術，這對諸如手機IC芯片等低功耗便攜應用領域是相當理想的。高K金屬閘極堆疊技術則主要將面向速度密集型產品，比如顯卡、應用處理器以及高速通信IC芯片等。不過聯電方面的政策相當靈活，事實上根據聯電的說法，如果有必要的話客戶*可以定制采用高K金屬閘極技術的32/28納米制程來制造低功耗應用芯片，以滿足個別用戶的特殊需求。
今年早些時候，聯電主要競爭對手臺積電（TaiwanSemiconductorManufacturingCo.）曾表示，該公司的28納米制程將只采用高K金屬閘極技術。臺積電28納米制程也是預定于2010年正式服役，不過事實上32納米制程的實際上馬的時間相比28納米制程而言要更早一些，聯電的32納米制程支持高K金屬閘極技術而臺積電的32納米卻并不支持高K金屬閘極技術，所以在某種程度上來說，聯電確實已經在高K金屬閘極技術上將臺積電挑下了馬。
