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西安太康生物科技有限公司


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等離子氣相沉積爐實驗室等離子化學氣相沉積設備

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產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質生產(chǎn)商

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更新時間:2022-02-07 09:40:44瀏覽次數(shù):169次

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經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:114條

所在地區(qū):陜西

聯(lián)系人:王凱 (銷售部經(jīng)理)

產(chǎn)品簡介

等離子氣相沉積爐為洛陽西格馬高溫電爐生產(chǎn)的實驗室等離子化學氣相沉積設備,又稱等離子增強化學氣相沉積爐

詳細介紹

等離子氣相沉積爐為洛陽西格馬高溫電爐生產(chǎn)的實驗室等離子化學氣相沉積設備,又稱等離子增強化學氣相沉積爐。PECVD等離子氣相沉積爐可用于薄膜生長等工藝。
等離子氣相沉積爐是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子字體化學活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應。該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點。是高校、科研院所、工礦企業(yè)做等離子體增強CVD實驗用的高溫設備。
工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點;


PECVD:SGM1200度滑膛管式+等離子射頻電源+混氣系統(tǒng)

PECVD:SGM1200度滑膛管式+低溫預加熱爐+等離子射頻電源+混氣系統(tǒng)

PECVD技術特點

1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變?yōu)殡x子態(tài)

2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低

3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積的薄膜的應力大小

4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高

PECVD特點

1、整機采用SUS304不銹鋼材質,流線型外觀,真空吸附成型的優(yōu)質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好。

2、爐子底部裝有一對滑軌,移動平穩(wěn),可以手動從一端滑向另一端,實現(xiàn)快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟,可以實時觀察加熱的物料。

3、采用高純石英管,高溫下化學穩(wěn)定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數(shù)極小。

4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭,通過用高溫“O"型圈緊密密封可獲得高真空,一個卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷。

5、加熱元件采用首鋼或康奈爾發(fā)熱絲,表面負荷高、經(jīng)久耐用。設計溫度1200℃,升溫速率10℃/min。

6、可選配多路質量流量計,數(shù)字顯示、氣體流量自動控制;內置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥,可通過控制面板上的旋鈕來調節(jié)氣體流量。

7、等離子射頻電源:大射頻功率達500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

技術參數(shù)

型號

SGM PECVD1200-2.5/20-2M-LV

SGM PECVD1200-5/20-4M-LV-P

SGM PECVD1200-6/40-2M-HV

SGM PECVD1200-8/40-4M-HV

設計溫度(℃)

1200

1200

1200

1200

控溫精度(℃)

±1

±1

±1

±1

加熱區(qū)直徑(mm)

25

50

60

80

加熱區(qū)長度(mm)

200

200

400

400

加熱管長度(mm)

450

450

1000

1000

恒溫區(qū)長度(mm)

80

80

150

150

額定電壓(V)

220

220

220

220

額定功率(KVA)

1.2

1.2

3

3

射頻電源功率(W)

5~300

5~300

5~500

5~500

真空機組

SGM PECVD-101

SGM PECVD-101

SGM PECVD-104

SGM PECVD-104

供氣系統(tǒng)

SGM PECVD-2F

SGM PECVD-4F

SGM PECVD-2M

SGM PECVD-4M


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