強光巡檢電筒GAD202-J

技術參數：

額定電壓：DC3.7V

額定容量：2Ah

使用壽命：≥100000h

放電時間：工作光：19h / 強光：8~9h

充電時間：6h

電池壽命：約1000（循環）

強光巡檢電筒GAD202-J外形尺寸：φ35×157 mm（外徑×長）

重    量：0.23kg

防護等級：IP66

產品特性：

采用高性能無記憶鋰電池，壽命長，自放電率低，經濟環保。GAD202-J采用固態高效LED光源，能耗少，壽命長。

性能特點：

選用進口高硬度鋁合金材料做外殼，確保GAD202-J抗強力沖擊和碰撞，采用多重防水結構，可在各種惡劣環境和氣候條件下使用。

設有強光、工作光、頻閃三種工作模式，采用智能芯片控制開關，強弱光可任意轉換。GAD202-J配有過充過放及短路保護功能。

結構緊湊，輕盈美觀，體積小，重量輕。

GAD202-J多功能強光巡檢電筒可跨在腰間或放在口袋中，輕便靈活。工作光具有強弱兩種選擇。

  LED產業在已經形成了一套完整的產業鏈，強光巡檢電筒GAD202-J美國、日本、歐洲、中國臺灣和韓國等國家和地區的企業數量眾多，主要集中在襯底、外延片、芯片以及封裝領域。

    LED的核心技術是高亮度LED的外延生長和芯片制造技術，具有較高的技術含量和附加值，是典型的技術密集型和資本密集型產業，該領域一直是業內公司競相攀登的行業高地。當前，美國、日本等在核心器件的原材料和器件設計上具有技術優勢，處于 水平，其 本的日亞化學和豐田合成、美國的Cree、德國的Osram在世界半導體照明市場上暫時處于技術壟斷地位。在銷售額和*方面，這些大公司也處于位置。

    對于制作LED芯片來說，產業鏈zui前端襯底材料的選用是首先要考慮的問題，需要根據設備和LED器件的要求進行選擇。目前，上采用SiC作為襯底的芯片生產企業主要包括：美國的Cree公司、歐洲的SiCrystal和Nors公司、亞洲的天科合達藍光半導體有限公司和NionSteel公司，其中，美國Cree公司的SiC芯片技術和產銷量均處于地位，占80%左右的*，然而，高價格依然會阻礙SiC芯片的廣泛應用。

    除了襯底外，外延片也屬于LED產業上游端。強光巡檢電筒GAD202-J目前LED外延片生產技術主要采用MOCVD，世界范圍內能夠生產這一設備的企業不過3到5家。世界上zui大的兩家MOCVD生產商為德國的AIXTRON和美國的VEECO，它們占據MOCVD供應市場90%以上的*，處于壟斷地位。

    從VLSI研究機構2008年4月份和GartnerDataquest研究機構2009年5月份的市場調研報告獲悉，2008年AIXTRON公司的*大約為72%，VEECO公司的*大約為19%。