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深圳海納光學有限公司
主營產品： 激光護目鏡，可飽和吸收鏡，衍射光學元件，光束整形器，太赫茲透鏡，太陽能模擬器，太赫茲相機，激光測量儀，離軸拋物面鏡，微透鏡陣列 |
公司信息
| 參考價 | ￥ 5000 |
| 訂貨量 | 1個 |
- 型號 BSO晶體
- 品牌
- 廠商性質 代理商
- 所在地 深圳市
Optogama提供4Lasers品牌的光折變晶體 BSO，Fe:LiNbO3，SBN，BGO晶體主要用于開發光折變效應的應用。光折變效應是一種通過光強的空間變化來改變局部折射率的現象。在光折變材料中，當相干光相互干擾時觀察到，光折變材料形成了空間變化的照明模式。這種效果可以用來存儲臨時的、可擦除的全息圖，也稱為全息數據存儲。它也可以用來制造相位共軛鏡或光學空間孤子。
硅酸鉍(Bi)12SiO20，bso)晶體是一種高效率的光導材料，暗導率低，允許大量的光誘導空間電荷的積累。巨大的光電導性和電光特性提高了BSO晶體的應用范圍：空間光調制器、光開關、相位共軛混合器。Optogama用改進的Czochralski法生長了BSO晶體，其孔徑可達3英寸。
鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(Fe：LiNbO)的LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數和衍射效率、化學力學性能，是一種很有吸引力的光折變材料。Fe：LiNbO3晶體采用Czochralsky法生長，尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調整特定應用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶體操作方便，成本低，適合批量生產。
SBN晶體晶體具有優良的光學和光折變性能。它們表面上是純的，被Ce，Cr，Co或Fe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學等領域有著廣泛的應用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體，采用改進的Stepanov法生長，線性尺寸可達40 mm。
鍺酸鉍（Bi12GeO20，BGO）晶體是具有低暗電導率的高效光電導體，可以積累大量光致空間電荷。
光折變晶體 BSO，Fe:LiNbO3，SBN，BGO晶體
硅酸鉍晶體主要特點：
-高電光系數(r41=5pm/v)
-高相位共軛效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根據要求定制
BSO晶體主要應用：
-空間光調制器
-光開關
-相位共軛混合器。
BSO晶體的技術特性：
化學公式 | Bi12SiO20 |
晶體結構 | 立方體，點編組23 |
晶格參數 | 10.10 a |
密度 | 9.2克/cm3 |
Mohs硬度 | 5 |
透明度范圍 | 0.45-6μm |
折射率 | 2.5 |
光學活性 | 42deg/mm |
電光系數 | r41 = 5 pm/V |
介電常數(低頻) | 56 |
暗電阻 | 1014 Ohm cm |
BSO晶體的產品規格：
透明孔徑 | 85 % |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度誤差 | <30 arcsec |
保護槽 | <0.3 mm at 45° |
表面質量 | 40-20 S-D |
波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
涂層 | 無涂層 |
硅酸鉍晶體產品型號
SKU | 面尺寸 | 厚度 | 定向 | 價格（RMB） |
1558 | 30×30毫米 | 1.0毫米 | [110] | 5500 |
6880 | 20x20毫米 | 1.0毫米 | [110] | 4500 |
6881 | 20x20毫米 | 1.0毫米 | [100] | 4500 |
6882 | 10x10毫米 | 5毫米 | [110] | 6500 |
6883 | 10x10毫米 | 5毫米 | [100] | 6500 |
6884 | 5x5毫米 | 5毫米 | [110] | 4800 |
6885 | 5x5毫米 | 5毫米 | [100] | 4900 |
9095 | 30×30毫米 | 1.5毫米 | [110] | 5600 |
鈮酸鋰晶體主要特點：
-高電光系數(r41=5pm/v)
-高相位共軛效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根據要求定制
LiNbO3晶體的主要應用：
-空間光調制器
-光開關
-全息記錄
-光波導
LiNbO3晶體技術特性：
化學公式 | Fe：LiNbO3 |
晶體結構 | 三角形，3m |
密度 | 4.64克/cm3 |
Mohs硬度 | 5 |
透明度范圍 | 0.35-5.5μm |
折射率@0，63μm | ne = 2.20, no = 2,29 |
電光系數 | r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V |
介電常數 | e11 = 85,e33 = 30 |
鈮酸鋰晶體產品規格：
Fe2O3 | 0.1 mol. %，0.05 mol. %，0.03 mol. %，0.02 mol. % |
定向 | 90°切割(X-切割，Y-切割) |
透明孔徑 | 85 % |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度誤差 | <3 arcmin |
保護槽 | <0.3 mm at 45° |
表面質量 | 20-10 S-D |
波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
涂層 | 無，可根據要求提供抗反射或銦錫氧化物涂層 |
電極 | 無，可根據要求提供 |
鈮酸鋰晶體產品型號：
SKU | 面尺寸 | 長度 | 摻雜水平 | 價格（RMB） |
4052 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，05%Fe2O3 | 請求 |
6457 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，02%Fe2O3 | 請求 |
6458 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，03%Fe2O3 | 請求 |
7005 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，1%Fe2O3 | 請求 |
7006 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，02%Fe2O3 | 4000 |
7007 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，03%Fe2O3 | 4000 |
7008 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，05%Fe2O3 | 4000 |
7009 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，1%Fe2O3 | 4000 |
7010 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，02%Fe2O3 | 請求 |
7011 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，03%Fe2O3 | 請求 |
7012 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，05%Fe2O3 | 請求 |
7013 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，1%Fe2O3 | 請求 |
SBN晶體的主要特點：
-Ce，Cr，Co，Fe純摻雜
-有效相位共軛
-定制尺寸，摻雜水平，無極化，減反射涂層和沒有電極晶體可根據要求
SBN晶體的主要應用：
-光學信息記錄
-熱釋電探測器
-自泵浦自共軛鏡
-光學相關器
SBN晶體的技術特性：
構圖 | SBN：61 | SBN：75 |
晶體結構 | 四邊形，4毫米 | 四邊形，4毫米 |
晶格參數 | a = 12,46 Å, c = 3,946 Å | a = 12,43024 Å, c = 3,91341 Å |
密度 | 5,4 g/cm3 | 5,4 g/cm3 |
Mohs硬度 | 5.5 | 5.5 |
熔化溫度 | 1480°C | 1480°C |
居里溫度 | 75°C | 56℃ |
透光度范圍 | 0.45-5.5μm | 0.4-5.5μm |
折射率@633 nm | no = 2.3103,ne = 2.2817 | no = 2.3117,ne = 2.2987 |
Δn@633 nm | -0.0286 | -0.0130 |
傳動 | 0.45-5.5μm | 0.4-5.5μm |
半波電壓(λ/2) | 240 V | 60V |
介電常數(T=293 K) | 900 | 340 |
電光系數 | R13=45 pm/V,R33=250 pm/V | R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V |
熱釋電系數 | 0.065μC×cm-2×K-1 | 0.28μC×cm-2×K-1 |
介電常數 | 880 | 3400 |
SBN晶體的產品規格：
定向 | 沿四方軸的短邊 |
波林 | 極化 |
電極 | 碳水電極 |
透明孔徑 | 85% |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度誤差 | <30 arcsec |
保護槽 | <0.1 mm at 45° |
表面質量 | 20-10 S-D通過透明光圈，60-40 S-D其他表面 |
表面平整度 | <λ/4@6328 nm |
涂層 | 無涂層 |
SBN晶體的產品型號：
SKU | 材料 | 面尺寸 | 長度 | 摻雜 | 價格(RMB) |
6940 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 15000 |
6941 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 18500 |
6942 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 24000 |
6943 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 30000 |
6944 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 15000 |
6945 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 18800 |
6946 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 22000 |
6947 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 30000 |
6948 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 15000 |
6949 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 18500 |
6950 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 24000 |
6951 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 30000 |
73 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | 未摻雜 | 15000 |
74 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | 未摻雜 | 18500 |
75 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | 未摻雜 | 24000 |
76 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | 未摻雜 | 30000 |
BGO晶體的主要特點：
-高電光系數(r41=3，5 pm/v)
-低暗電導
-大尺寸元件或晶片可達3“
-可根據要求定制
BGO晶體的主要應用：
-空間光調制器
-光開關
-光學相關器
BGO晶體的技術特性：
化學公式 | Bi12GeO20 |
晶體結構 | 立方體，點編組23 |
晶格參數 | 10.15 a |
密度 | 9.2克/cm3 |
傳輸范圍 | 0.45-7米 |
折射率@0.63m | 2,55 |
光學活性@500 nm | 41.5度/毫米 |
電光系數r41 | 3.5 pm/V |
介電常數 | 40 |
暗電阻 | 1014 Ohm cm |
BGO晶體的產品規格：
透明孔徑 | 85% |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度誤差 | <30 arcsec |
保護槽 | <0.3 mm at 45° |
表面質量 | 40-20 S-D |
波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
涂層 | 無涂層 |
BGO晶體的產品型號：
SKU | 面尺寸 | 長度 | 定向 | 價格(RMB) |
6868 | 5x5毫米 | 5毫米 | [110] | 5600 |
6871 | 5x5毫米 | 5毫米 | [100] | 5600 |
6872 | 10x10毫米 | 5毫米 | [110] | 8500 |
6873 | 10x10毫米 | 5毫米 | [100] | 8500 |
6874 | 20x20毫米 | 1毫米 | [110] | 5000 |
6875 | 20x20毫米 | 1毫米 | [100] | 5000 |
6876 | 30×30毫米 | 1毫米 | [110]，邊與<001>平面±2deg平行 | 6000 |
6877 | 30×30毫米 | 1，5毫米 | [110] | 6000 |
