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電容電壓特性測(cè)定儀報(bào)價(jià)

參考價(jià)	￥ 45000
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱北京海富達(dá)科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)THZ24-CV-5
所在地北京市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2025/4/9 13:13:09
訪問(wèn)次數(shù)301

產(chǎn)品標(biāo)簽:

電容電壓特性測(cè)試儀

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北京海富達(dá)科技有限公司

北京海富達(dá)科技有限公司成立于2014年，是醫(yī)療設(shè)備、實(shí)驗(yàn)設(shè)備、平臺(tái)綜合解決方案提供商。公司專業(yè)為國(guó)內(nèi)企事業(yè)單位提供儀器儀表，實(shí)驗(yàn)設(shè)備以及整體解決方案。

公司與多家生產(chǎn)商已建立長(zhǎng)期合作關(guān)系。公司經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品廣泛，靈活滿足不同事業(yè)單位和企業(yè)客戶的差異化需求的追求，產(chǎn)品故障率低，維護(hù)成本小，性能優(yōu)異，售后服務(wù)完善。公司所有產(chǎn)品在行業(yè)內(nèi)均有持續(xù)的應(yīng)用歷史并經(jīng)過(guò)市場(chǎng)實(shí)際應(yīng)用檢驗(yàn)。

堅(jiān)持以持續(xù)技術(shù)為客戶不斷創(chuàng)造價(jià)值為經(jīng)營(yíng)理念，公司在產(chǎn)品研發(fā)方面投入比例逐年遞增，目前自主研發(fā)并投入市場(chǎng)的產(chǎn)品已達(dá)十余種，長(zhǎng)期以來(lái)，公司一直按照標(biāo)準(zhǔn)，搭建國(guó)內(nèi)實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)，構(gòu)建高標(biāo)準(zhǔn)、持續(xù)發(fā)展體系。堅(jiān)持穩(wěn)步發(fā)展的管理理念，不斷刷新自己在業(yè)內(nèi)的記錄

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產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)

電容電壓特性測(cè)定儀報(bào)價(jià) 型號(hào):THZ24-CV-5000庫(kù)號(hào)：M408361
MOS（金屬－氧化物－半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C－V特性）。C-V曲線與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有關(guān)系。

電容電壓特性測(cè)定儀報(bào)價(jià) 產(chǎn)品信息

電容電壓特性測(cè)定儀報(bào)價(jià)電容電壓特性測(cè)定儀報(bào)價(jià)型號(hào):THZ24-CV-5000庫(kù)號(hào)：M408361

MOS（金屬－氧化物－半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C－V特性）。C-V曲線與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有關(guān)系。利用實(shí)際測(cè)量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動(dòng)電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)。

另外作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢(shì)壘電容）。加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變寬，勢(shì)壘電容變小。

CV-5000型電容電壓特性測(cè)試儀是測(cè)試頻率為1MHz的數(shù)字的電容測(cè)試儀器，既可用于測(cè)試半導(dǎo)體器件PN結(jié)的勢(shì)壘電容在不同偏壓下的電容量，也可進(jìn)行Mos電容的外加電壓掃描測(cè)試，還可測(cè)試其它MIS電容。

該電容電壓特性測(cè)試系統(tǒng)由主機(jī)和上位機(jī)（PC）組成，并在軟件控制下完成校準(zhǔn)及測(cè)試等功能，同時(shí)顯示C-V電容電壓特性曲線。主機(jī)面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài)，用數(shù)碼管組成的顯示板，將被測(cè)元件的數(shù)值，小數(shù)點(diǎn)清晰地顯示出來(lái)。儀器有分辨率，電容量是五位讀數(shù)，可分辮到0.001pF，偏置電壓分辨力為0.1V，漏電流分辨力為0.01uA。

儀器配有CV-5000型測(cè)量座，接插元件方便。

本儀器測(cè)量操作簡(jiǎn)便。可應(yīng)用于元件廠，科研部門，高等院校等各個(gè)部門。

CV-5000型電容電壓特性測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有測(cè)試界面的用戶程序，程序操作易用。測(cè)試程序在計(jì)算機(jī)與CV-5000型電容電壓特性測(cè)試測(cè)試儀連接的狀態(tài)下，通過(guò)計(jì)算機(jī)的USB口實(shí)現(xiàn)通訊。

測(cè)試程序控制電容電壓特性測(cè)試測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形記錄、顯示出來(lái)。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析。

技　術(shù)　指　標(biāo) ：

測(cè)試信號(hào)頻率 1.000MHz±0.01%；

測(cè)試信號(hào)電壓小于或等于100mVrms；

電容測(cè)量范圍 1.000pF～5000.0pF；

工作誤差 ±3.0%±2字；

直流偏壓 -35V～+35V（可擴(kuò)展），由軟件按設(shè)定步進(jìn)電壓值輸出偏置電壓；

軟件功能由軟件控制電壓的掃描輸出，讀取不同電壓點(diǎn)的電容值并在電腦中繪出電容-電壓的變化曲線；軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù)，也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。

電腦通訊接口 USB通訊接口；

應(yīng)用應(yīng)用于MOS摻雜和PN結(jié)摻雜的C-V特性測(cè)量，也可測(cè)試其它MIS電容等。MOS（金屬－氧化物－半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C－V特性）。C-V曲線與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關(guān)系。利用實(shí)際測(cè)量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動(dòng)電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)

附送實(shí)驗(yàn)樣品 P型MOS實(shí)驗(yàn)樣品、N型MOS實(shí)驗(yàn)樣品、PN摻雜實(shí)驗(yàn)樣品

供電電源交流電壓：220V±5%；

頻率： 50Hz±5%；

消耗功率：不大于40W；

工作環(huán)境溫度：0—40℃；

濕度：20%~90%RH 40℃