:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配數字示波器;用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質的重要檢測項目。